[发明专利]一种电解加工阵列斜孔阴极的制备方法及阵列斜孔阴极

权利要求书

1.一种电解加工阵列斜孔阴极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、制备钛合金电极块：利用慢走丝线切割工艺对钛合金方料各个面进行切割，得到钛合金电极块；

S2、加工阵列电极柱：在钛合金电极块上选取工艺基准，按照阴极使用要求进行横向和纵向慢走丝线切割，切割出具有整体电极柱的阵列电极；

S3、加工通液槽：在阵列电极的各个电极柱上，通过电火花打孔工艺打孔后穿丝线切割出通液槽；

S4、切割电极斜面：调整阵列电极的装夹角度，利用慢走丝线切割工艺切割出阵列电极斜面；

S5、焊接主轴连接杆：将阵列电极与主轴连接杆焊接连接；

S6、侧壁绝缘处理：采用微弧氧化技术对阵列电极整体进行绝缘处理，然后采用电泳工艺对微弧氧化绝缘面进行封装，形成双绝缘复合层，并对电极斜面和电极电源接线处的双绝缘复合层进行打磨去除；或者，先对电极斜面和电极电源接线处进行覆盖，然后采用微弧氧化技术对电极进行绝缘处理，并采用电泳工艺对微弧氧化绝缘面进行封装，形成双绝缘复合层。

2.根据权利要求1所述的一种电解加工阵列斜孔阴极的制备方法，其特征在于：在步骤S1中，利用慢走丝线切割得到的钛合金电极块的上下面平行度不超过0.01mm，上面与侧面垂直度不超过0.01mm。

3.根据权利要求1所述的一种电解加工阵列斜孔阴极的制备方法，其特征在于：在步骤S2中，整体电极柱的横向和纵向慢走丝线切割的切割电流不大于5A，切割的各个电极柱的形状精度不大于0.02mm；在步骤S4中，利用慢走丝线切割工艺切割阵列电极斜面的切割电流不大于1A，且电极斜面至少切割三次。

4.根据权利要求1所述的一种电解加工阵列斜孔阴极的制备方法，其特征在于：在步骤S5中，主轴连接杆与阵列电极连接面的垂直度不大于0.01mm ，主轴连接杆采用数控车床车削制得，且主轴连接杆的回转径向跳动量不超过0.005mm。

5.根据权利要求1所述的一种电解加工阵列斜孔阴极的制备方法，其特征在于：在步骤S6中，微弧氧化电压不超过500V，微弧氧化时间不超过60s，微弧氧化结束后经过超声波清洗后利用电泳工艺对微弧氧化绝缘面进行封装，电泳封装电压不超过300V，封装时间不超过30s，双绝缘复合层的厚度不超过30μm。