[发明专利]电路结构及其驱动方法、神经网络

权利要求书

1.一种电路结构，包括：至少一个电路单元，

每个所述电路单元包括第一组阻变器件和第二组阻变器件，所述第一组阻变器件包括阻值渐变器件，所述第二组阻变器件包括阻值突变器件，所述第一组阻变器件和第二组阻变器件串联连接，在未加电压的情况下，所述第一组阻变器件的阻值大于所述第二组阻变器件的阻值。

2.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述阻值渐变器件具有第一阻值，所述阻值突变器件具有第二阻值，在未加电压的情况下，所述第一阻值的范围为1-100兆欧，所述第二阻值的范围为1-1000千欧。

3.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述阻值渐变器件包括层叠的第一氧化物层和第二氧化物层，所述第一氧化物层的氧含量高于第二氧化物层的氧含量。

4.根据权利要求3所述的电路结构，其中，所述第一氧化物层的材料为五氧化二钽或氧化铝，所述第二氧化物层的材料为二氧化钽。

5.根据权利要求3所述的电路结构，其中，所述阻值渐变器件还包括第一电极层和第二电极层，

所述第一氧化物层和第二氧化物层设置在所述第一电极层和第二电极层之间，且

所述第一电极层与所述第一氧化物层电连接，所述第二电极层与所述第二氧化物层电连接。

6.根据权利要求5所述的电路结构，其中，所述第一电极层的材料为活性金属。

7.根据权利要求6所述的电路结构，其中，所述活性金属为铝、镍、或钛。

8.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述阻值突变器件包括层叠的第三电极层、第三氧化物层和第四电极层，所述第三氧化物层设置在所述第三电极层和第四电极层之间。

9.根据权利要求8所述的电路结构，其中，所述第三氧化物层的材料为五氧化二钽、二氧化钒或二氧化铌。

10.根据权利要求8所述的电路结构，其中，所述第三电极层的材料为惰性金属。

11.根据权利要求10所述的电路结构，其中，所述惰性金属为铂、钌、铱或钯。

12.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述第一组阻变器件包括至少一个所述阻值渐变器件，所述第二组阻变器件包括至少一个所述阻值突变器件，且所述阻值渐变器件和所述阻值突变器件一一对应串联连接。

13.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述第一组阻变器件包括多个所述阻值渐变器件，所述第二组阻变器件包括一个所述阻值突变器件，多个所述阻值渐变器件对应一个所述阻值突变器件，且分别与该一个所述阻值突变器件串联连接。

14.根据权利要求13所述的电路结构，其中，在未加电压的情况下，至少两个所述阻值渐变器件的阻值不相同。

15.根据权利要求13所述的电路结构，其中，至少两个所述阻值渐变器件并联连接。

16.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述第一组阻变器件包括一个所述阻值渐变器件，所述第二组阻变器件包括多个所述阻值突变器件，一个所述阻值渐变器件对应多个所述阻值突变器件，且与该多个所述阻值突变器件分别串联连接。

17.根据权利要求16所述的电路结构，其中，至少两个所述阻值突变器件的阈值电压不相同。

18.根据权利要求16所述的电路结构，其中，至少两个所述阻值突变器件并联连接。