[发明专利]像素结构及其制作方法、显示基板和显示装置有效
申请号: | 201710321917.5 | 申请日: | 2017-05-09 |
公开(公告)号: | CN107068729B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 于东慧 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 制作方法 显示 显示装置 | ||
本发明提供一种像素结构,包括排成多行多列的多个第一像素部以及将多个所述第一像素部彼此间隔开的第二像素部,每个所述第一像素部包括颜色相同、且环绕该第一像素部的中心排列的多个第一子像素,所述第二像素部包括多个第二子像素;位于任意相邻两行且相邻两列的四个第一像素部中,每两个第一像素部的中心连线划分出四个区域,每一个区域包括一个像素单元,每个像素单元包括分别位于两个第一像素部中的两个第一子像素以及至少一个第二子像素。相应地,本发明还提供一种像素结构的制作方法、显示基板和显示装置。本发明能够实现高分辨率,同时又不会使得工艺难度过大。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种像素结构及其制作方法、显示基板和显示装置。
背景技术
有机电致发光(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板由于自发光、响应速度快、易于实现柔性等优点,具有广阔的应用前景。全彩的有机电致发光显示面板中,像素单元包括R、G、B发光单元,各发光单元通过真空蒸镀和溶液制程制作,由于在制作过程中受到掩膜板对位精度和设备限制,导致制作高分辨率显示面板的制作一直是一个难题。目前提高分辨率的方式普遍采用减小像素面积的方式,但是这样在制作R、G、B中的任意一种颜色的发光单元时,均需要提高对位精度,从而增加工艺难度。
因此,如何实现高分辨率OLED的制备,又不会使工艺难度过大,是一个急需解决的问题。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种像素结构及其制作方法、显示基板和显示装置。
为了解决上述技术问题之一,本发明提供一种像素结构,包括排成多行多列的多个第一像素部以及将多个所述第一像素部彼此间隔开的第二像素部,每个所述第一像素部包括颜色相同、且环绕该第一像素部的中心排列的多个第一子像素,所述第二像素部包括多个第二子像素;
位于任意相邻两行且相邻两列的四个第一像素部中,每两个第一像素部的中心连线划分出四个区域,每一个区域包括一个像素单元,每个像素单元包括分别位于两个第一像素部中的两个第一子像素以及至少一个第二子像素。
优选地,位于同一行中的任意相邻两个第一像素部的颜色不同,位于同一列中的任意相邻两个第一像素部的颜色也不同,所有的第二子像素的颜色相同,每个所述像素单元中第二子像素的数量为一个,同一个像素单元中的第二子像素和第一子像素的颜色互不相同。
优选地,所述第一子像素和所述第二子像素中均设置有发光功能层,同一个第一像素部的发光功能层形成为一体,所述第二像素部的所有第二子像素的发光功能层形成为一体。
优选地,位于同一行或同一列的任意相邻两个第一像素部中,其中一个第一像素部中的第一子像素为红色子像素,另一个第一像素部中的第一子像素为绿色子像素,所述第二像素部中的第二子像素均为蓝色子像素。
优选地,位于同一行中的相邻两个第一像素部的颜色不同,位于同一列中的相邻两个第一像素部的颜色也不同,每个像素单元中第二子像素的数量为多个,且同一个像素单元中的多个第二子像素和两个第一子像素的颜色互不相同。
优选地,位于同一行中的任意相邻两个第一像素部的颜色相同,位于同一列中的任意相邻两个第一像素部的颜色相同,每个像素单元中第二子像素的数量为多个,且同一个像素单元中的多个第二子像素以及两个第一子像素的颜色互不相同。
优选地,所述第一像素部在与所述像素结构厚度方向垂直的平面上的正投影为矩形,每个第一像素部中的多个第一子像素为:沿所述第一像素部的两条对角线、所述第一像素部宽度方向和长度方向的中线对所述第一像素部划分所形成的8个第一子像素。
优选地,所述第一像素部在与所述像素结构厚度方向垂直的平面上的正投影为正方形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的