[发明专利]掩模板、薄膜晶体管的制造方法和薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

形成导电材料层和位于所述导电材料层上方的光刻胶层；

对光刻胶层进行图案化，形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层包括第一图案和第二图案，所述第一图案包括两个侧壁和分别连接所述两个侧壁的第一端的连接部，以使所述两个侧壁和所述连接部形成一端开口另一端封闭的图案；所述第二图案至少部分地位于所述第一图案内，以在所述第一图案和所述第二图案之间形成狭缝；所述第一图案还包括延长部分，所述延长部分位于所述连接部的远离所述侧壁的一侧；

对所述光刻胶层进行热烘，使所述延长部分的光刻胶流动至所述第一图案的底部；

利用图案化的光刻胶层形成图案化的导电材料层，所述图案化的导电材料层包括与所述第一图案和所述第二图案对应的图案。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述图案化的光刻胶层中的所述第一图案和所述第二图案为多个，所述多个第一图案相互连接。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述延长部分连接于所述第一图案的连接部的中央。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述两个侧壁相互平行，所述延长部分在所述两个侧壁的垂直方向上的宽度占所述两个侧壁之间的距离的1/10-1/2之间。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述对光刻胶层进行图案化，形成图案化的光刻胶层的步骤中，是利用SSM掩模板对光刻胶层进行图案化，形成图案化的光刻胶层。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述利用图案化的光刻胶层形成图案化的导电材料层的步骤之后，所述方法还包括：

去除所述导电材料层上对应于所述延长部分的导电材料。

7.一种SSM掩模板，用于制作薄膜晶体管，其特征在于，所述掩模板包括第一图案和第二图案，所述第一图案包括两个侧壁和分别连接所述两个侧壁的一端的连接部；所述第二图案至少部分地位于所述第一图案内，以在所述第一图案和所述第二图案之间形成一端开口另一端封闭的狭缝；所述第一图案还包括延长部分，所述延长部分位于所述连接部的远离所述侧壁的一侧。

8.如权利要求7所述的SSM掩模板，其特征在于，所述第一图案和所述第二图案为多个，所述多个第一图案相互连接。

9.如权利要求7所述的SSM掩模板，其特征在于，所述延长部分连接于所述第一图案的连接部的中央。

10.如权利要求7所述的SSM掩模板，其特征在于，所述两个侧壁相互平行，所述延长部分在所述两个侧壁的垂直方向上的宽度占所述两个侧壁之间的距离的1/10-1/2之间。

11.如权利要求7所述的SSM掩模板，其特征在于，所述狭缝为用于衍射的U形狭缝。

12.如权利要求11所述的SSM掩模板，其特征在于，所述狭缝的宽度在2μm-2.4μm之间。

13.一种利用权利要求1-6中任一项的方法制成的薄膜晶体管液晶显示装置。