[发明专利]半导体晶片的表面处理方法

权利要求书

1.一种用于半导体晶片的表面处理方法，主要为湿化学表面处理的方法，其中所述半导体晶片—用酸性液体处理，由该半导体晶片的每个表面除去至多10微米的材料，然后—用碱性液体处理，除去至少足够的材料，以便完全除去经先前机械处理损伤的晶体区。

2.根据权利要求1的方法，其中在用碱性液体处理之前，所述半导体晶片用适于除去附着在半导体晶片表面的颗粒的第一清洗液体处理至少一次。

3.根据权利要求1或2的方法，其中就在用碱性液体处理之前，所述半导体晶片用适于由半导体晶片表面除去金属杂质的第二清洗液体处理。

4.根据权利要求3的方法，其中在步骤1)至5)内依序使用下列液体处理半导体晶片表面1)使用第一清洗液体，该液体适于除去附着在半导体晶片表面的颗粒，2)使用酸性液体，由该半导体晶片的每个表面除去至多10微米的材料，3)使用所述第一清洗液体，4)使用第二清洗液体，该液体适于由半导体晶片表面除去金属杂质，以及5)使用碱性液体，除去至少足够的材料，以便完全除去经先前机械处理损伤的晶体区。

5.根据权利要求1-7之一的方法，其中所述酸性液体含有水、氢氟酸及硝酸；其中在用酸性液体处理过程中由半导体晶片每个表面除去至多5微米的材料；其中所述碱性液体含有水及碱金属氢氧化物，其中所述碱金属氢氧化物是氢氧化钠或氢氧化钾。

6.根据权利要求1-12之一的方法，其中所述半导体晶片是硅晶片。