[发明专利]基于沉积电势控制氧化亚铜半导体导电类型的方法

权利要求书

1.基于沉积电势控制氧化亚铜半导体导电类型的方法，其特征在于：

由以下步骤实现：

步骤一：用蒸馏水配置摩尔体积浓度为0.05 mol/L的铜盐溶液作为二价铜离子的来源，并将铜盐溶液的pH值调节至酸性，在铜盐溶液中添加一定量的十二烷基硫酸钠，十二烷基硫酸钠在电镀液中的摩尔体积浓度为3mmol/L；铜盐溶液为醋酸铜，pH 值调节至5.0，相应的pH 值调节剂选取醋酸；

步骤二：将所配好的铜盐溶液用磁力搅拌器充分搅拌，得到电镀液，利用恒电势仪在该电镀液中进行电沉积；

电沉积过程中：

FTO或ITO导电玻璃为工作电极，铂片或石墨棒为辅助电极，饱和甘汞电极为参比电极；电镀液的温度保持恒温，温度采用水浴控制，沉积温度为70℃；采用恒电势，沉积电势为相对于饱和甘汞电极0.10 - (–0.30) V；沉积时间为20分钟，得到Cu₂O薄膜；

当电势大于或者等于-0.05V时，制得的Cu₂O薄膜表现为n型半导体；当电势小于或者等于-0.10V时，Cu₂O薄膜表现为p型半导体。

2.基于沉积电势控制氧化亚铜半导体导电类型的方法，其特征在于：

由以下步骤实现：

步骤一：用蒸馏水配置摩尔体积浓度为0.02 mol/L的铜盐溶液作为二价铜离子的来源，并将铜盐溶液的pH值调节至酸性，在铜盐溶液中添加一定量的十二烷基硫酸钠，十二烷基硫酸钠在电镀液中的摩尔体积浓度为3 mmol/L；铜盐溶液为硫酸铜，pH 值调节至5.5，相应的pH 值调节剂选取醋酸；

步骤二：将所配好的铜盐溶液用磁力搅拌器充分搅拌，得到电镀液，利用恒电势仪在该电镀液中进行电沉积；

电沉积过程中：

FTO或ITO导电玻璃为工作电极，铂片或石墨棒为辅助电极，饱和甘汞电极为参比电极；电镀液的温度保持恒温，温度采用水浴控制，沉积温度为室温；采用恒电势，沉积电势为相对于饱和甘汞电极0.30 - (–0.20) V；沉积时间为60分钟，得到Cu₂O薄膜；

当电势大于或者等于0.10V时，制得的Cu₂O薄膜表现为n型半导体；当电势小于或者等于0.05V时，Cu₂O薄膜表现为p型半导体。

3.基于沉积电势控制氧化亚铜半导体导电类型的方法，其特征在于：

由以下步骤实现：

步骤一：用二次蒸馏水配置摩尔体积浓度为0.10 mol/L的铜盐溶液作为二价铜离子的来源，并将铜盐溶液的pH值调节至酸性，在铜盐溶液中添加一定量的十二烷基硫酸钠，十二烷基硫酸钠在电镀液中的摩尔体积浓度为3mmol/L； 铜盐溶液为硝酸铜，pH 值调节至4.0，相应的pH 值调节剂选取醋酸；

步骤二：将所配好的铜盐溶液用磁力搅拌器充分搅拌，得到电镀液，利用恒电势仪在该电镀液中进行电沉积；

电沉积过程中：

FTO或ITO导电玻璃为工作电极，铂片或石墨棒为辅助电极，饱和甘汞电极为参比电极；电镀液的温度保持恒温，温度采用水浴控制，沉积温度为50℃；采用恒电势，沉积电势为相对于饱和甘汞电极0.05-(–0.50) V；沉积时间为600分钟，得到Cu₂O薄膜；

当电势大于或者等于-0.20V时，制得的Cu₂O薄膜表现为n型半导体；当电势小于或者等于-0.25V时，Cu₂O薄膜表现为p型半导体。

4.基于沉积电势控制氧化亚铜半导体导电类型的方法，其特征在于：

由以下步骤实现：

步骤一：用二次蒸馏水配置摩尔体积浓度为0.08 mol/L的铜盐溶液作为二价铜离子的来源，相应的pH 值调节剂选取醋酸；

步骤二：将所配好的铜盐溶液用磁力搅拌器充分搅拌，得到电镀液，利用恒电势仪在该电镀液中进行电沉积；

电沉积过程中：

FTO或ITO导电玻璃为工作电极，铂片或石墨棒为辅助电极，饱和甘汞电极为参比电极；电镀液的温度恒温，温度采用水浴控制，沉积温度为60℃；采用恒电势，沉积电势为相对于饱和甘汞电极0.10 - (–0.30) V；沉积时间为10分钟，得到Cu₂O薄膜；

当电势大于或者等于0.10V时，制得的Cu₂O薄膜表现为n型半导体；当电势小于或者等于-0.05V时，Cu₂O薄膜表现为p型半导体。