[发明专利]二氧化锡‑氧化亚钴复合薄膜材料、锂电池及制备方法在审
| 申请号： | 201710319311.8 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN107275585A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 李强;李山东;王霞;徐洁;赵国霞;滕晓玲;商显涛;董鹏;唐湛鸿;李晓 | 申请（专利权）人： | 青岛大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/485;H01M4/525;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京中索知识产权代理有限公司11640 | 代理人： | 宋涛 |
| 地址： | 266071 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 复合 薄膜 材料 锂电池 制备 方法 | ||
1.一种二氧化锡-氧化亚钴复合薄膜材料，其特征在于，包括间隔设置的二氧化锡层和氧化亚钴层；
其中，所述二氧化锡层和氧化亚钴层间隔设置，单层所述二氧化锡层或氧化亚钴层的厚度为2nm-50nm，所述二氧化锡层或氧化亚钴层的总层数为20-100。
2.根据权利要求1所述的复合薄膜材料，其特征在于，任意两层二氧化锡层的厚度相等；和/或，任意两层氧化亚钴层的厚度相等。
3.根据权利要求2所述的复合薄膜材料，其特征在于，任意一层二氧化锡层和任意一层氧化亚钴层的厚度相等。
4.一种锂电池，其特征在于，所述锂电池的负极采用权利要求1-3任一项所述的复合薄膜材料。
5.一种二氧化锡-氧化亚钴复合薄膜材料的制备方法，其特征在于，采用激光脉冲沉积设备，所述方法包括：
将靶材和基片放置在激光脉冲沉积腔中，所述靶材包括纯度为99.9％的二氧化锡和氧化亚钴；
对所述激光脉冲沉积腔抽真空，当所述激光脉冲沉积腔内的真空度为1×10-5Pa时，通入高纯氧气，调节氧气压强至0.1-1Pa；
将二氧化锡和氧化亚钴交替沉积在所述基片上，交替20-100个沉积周期；
其中，在每个沉积周期内，二氧化锡的沉积厚度为2nm-50nm，氧化亚钴的沉积厚度为2nm-50nm。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述将二氧化锡和氧化亚钴交替沉积在所述基片上，包括：
将基片温度设置为室温，将所述激光脉冲沉积设备的激光脉冲能量密度设置为30J·cm2；
分别按照0.02nm/s和0.03nm/s的沉积速率将二氧化锡和氧化亚钴交替沉积在所述基片。
7.一种二氧化锡-氧化亚钴复合薄膜材料的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射仪，所述方法包括：
将靶材和基片放置在磁控溅射沉积腔中，所述靶材包括纯度为99.9％的金属锌和金属钴；
对所述磁控溅射沉积腔抽真空，当所述磁控溅射沉积腔内的真空度为1×10-5Pa时，通入氩气和氧气，调节总压强至0.3-5Pa；
将二氧化锡和氧化亚钴交替沉积在所述基片上，交替20-100个沉积周期；
其中，在每个沉积周期内，二氧化锡的沉积厚度为2nm-50nm，氧化亚钴的沉积厚度为2nm-50nm。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述将二氧化锡和氧化亚钴交替沉积在所述基片上，包括：
将基片温度设置为室温，将所述磁控溅射仪的电源功率调节至70W；
分别按照0.02nm/s和0.03nm/s的沉积速率将二氧化锡和氧化亚钴交替沉积在所述基片。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述氩气和氧气的分压比为1:1-1:3。
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