[发明专利]照明装置的倒装结构及其制作方法

说明书

本发明涉及一种照明装置的倒装结构及其制作方法。照明装置的倒装结构包括层叠设置的衬底、缓冲层、N型氮化物半导体层、有源层及P型氮化物半导体层，透明导电层设于P型氮化物半导体层上，利用黄光蚀刻制程蚀刻透明导电层至有源层，暴露N型氮化物半导体层，得到凸形台面。P型接触金属设于透明导电层上，N型接触金属设于暴露出的N型氮化物半导体层上。沉积并蚀刻第一绝缘层以露出P/N型接触金属的一部分。倒装P型电极设于露出的P型接触金属上，倒装N型电极设于露出的N型接触金属上。再沉积并蚀刻第二绝缘层以露出倒装P/N型电极的一部分。在制作凸形台面时，利用圆形孔洞与长条形孔洞的结合，降低蚀刻精度，提高良率。

技术领域

本发明涉及照明技术领域，特别是涉及一种照明装置的倒装结构及其制作方法。

背景技术

在照明装置的倒装结构中，衬底与电极层分别位于有源层的两侧，有源层激发的光需要从衬底发出而不能透过电极层，因此，就需要在有源层远离衬底的一侧添加高反射材料来反射光线。常用的方式有以下两种方式：第一种方式是在有源层与电极层之间直接镀上一层高反射率的金属，如Ag、Al等，同时，这层高反射率的金属还作为欧姆接触层；第二种方式是将电极层设置成高穿透率的透明电极层，再在透明电极层上覆盖一层高反射率的金属，如ITO/Ag等。不管选用哪有方式，为避免电流不稳定，都需要在倒装结构上蚀刻多个圆形孔洞，而蚀刻圆形孔洞的精度要求比较高，所以工艺较为复杂，从而导致倒装结构的良率较低。

发明内容

基于此，有必要针对传统的照明装置的倒装结构良率较低的问题，提供一种良率较高的照明装置的倒装结构及其制作方法。

一种照明装置的倒装结构，包括：

外延组件，包括层叠设置的衬底、缓冲层、N型氮化物半导体层、有源层及P型氮化物半导体层，所述衬底远离所述缓冲层的一侧为所述外延组件的第一侧，所述P型氮化物半导体层远离所述有源层的一侧为所述外延组件的第二侧，所述第二侧上设有经蚀刻而成的凹槽，所述凹槽由所述P型氮化物半导体层延伸至所述N型氮化物半导体层，所述凹槽的数目为多个，多个所述凹槽将所述第二侧划分为多个第一面，所述凹槽的侧壁为第二面，所述凹槽的底壁为第三面，所述第一面、所述第二面与所述第三面连接形成凸形台面，部分所述凹槽在所述第一侧上的投影为圆形或圆环，部分所述凹槽在所述第一侧上的投影为长条形；

透明导电层，设于所述第一面上；

P型接触金属，设于所述透明导电层上；

N型接触金属，设于所述第三面上；

第一绝缘层，设于所述凸形台面、所述透明导电层、所述P型接触金属及所述N型接触金属上，所述第一绝缘层上设有经蚀刻而成的第一沟槽，所述第一沟槽用于裸露所述P型接触金属的一部分及所述N型接触金属的一部分；

倒装P型电极，设于所述第一绝缘层以及正对于所述第一沟槽的所述P型接触金属上；

倒装N型电极，设于所述第一绝缘层以及正对于所述第一沟槽的所述N型接触金属上，且所述倒装N型电极与所述倒装P型电极间隔；以及

第二绝缘层，设于所述第一绝缘层、所述倒装P型电极以及所述倒装N型电极上，所述第二绝缘层上设有经蚀刻而成的第二沟槽，所述第二沟槽用于裸露所述倒装P型电极的一部分及所述倒装N型电极的一部分。

在其中一个实施例中，所述P型接触金属包括P型点接触金属及P型线接触金属，所述P型点接触金属的数目为一个或多个，所述P型线接触金属的数目为一个或多个；

所述N型接触金属包括N型点接触金属及N型线接触金属，所述N型点接触金属的数目为一个或多个，所述N型线接触金属的数目为一个或多个。

在其中一个实施例中，所述P型点接触金属正对于所述第一沟槽，所述第一绝缘层将所述倒装P型电极与所述P型线接触金属隔离；