[发明专利]3;6-二氧杂-1;8-辛二胺四乙酸衍生物的应用及OSP处理液

说明书

本发明涉及一种具有式I结构的化合物在印制线路板的OSP处理液中的应用。本发明的OSP处理液中采用了式I结构的化合物能显著降低金面上膜厚度，提升了OSP的铜金选择性，同时能提升PCB测试板OSP膜的耐高温性和上锡率，提升了PCB板的可焊性，有效提升了现有OSP技术的制程能力。

技术领域

本发明涉及印制线路板化学品技术领域，特别是涉及3,6-二氧杂-1,8-辛二胺四乙酸衍生物的应用及OSP处理液。

背景技术

有机可焊保护剂工艺(OSP)在业界已使用多年，主要作用是对PCB(PrintedCircuit Board，即印制电路板)铜面焊盘进行防腐蚀、抗氧化处理，使铜面焊盘在长期的储存过程以及在高温使用条件下不容易氧化，保持焊盘的优良可焊性。国外日本专利5-186888、7-24305、美国专利5376189、5173130、欧洲专利EP0791671以及本公司专利CN200910042221.4、CN201110043355.5等对该防护技术已有详细的描述。他们的成膜物质有苯并三氮唑，苯并咪唑和芳基苯基咪唑等，优点是水溶性产品，不可燃，成本低，对铜面有一定抗氧化作用，其具体工艺流程按顺序如下：入板，除油，水洗，微蚀，水洗，OSP，烘干以及出板。

然而，在目前国内外OSP供应商产品的使用过程中，大多数存在成膜速度慢、膜结构疏松、抗氧化能力差等缺陷，在后续高温装配过程中容易发生氧化变色，并导致焊锡不良，退货事件屡屡发生，给多方造成经济损失。有些供应商通过调整参数提高成膜速度，但这样带来的后果往往由于OSP药液的活性过高，膜成分不仅在铜面上发生沉积，而且在生产线的行辘、滚轮以及缸体内壁等处发生沉积，久而久之，积累了大量难以清洗的结晶，不仅影响OSP板的外观，而且对OSP的性能产生较大隐患。情况严重的甚至可使PCB的生产无法继续进行，给PCB厂商带来了极大困扰。对于铜金混载板(也叫选化板，如手机板、显卡板)，提高成膜速度带来的另一个问题是降低了铜金之间的选择性，使得金面更容易上膜，不仅影响金面的外观，而且会使金面的接触导电性能下降，影响后续的设备电气连接效果。金面上膜的反应机制如下：

1、吸附(absorption)

2、去质子化与氧化(deprotonation and oxidation)

3、交叉偶联(cross-linking)

可知，PCB板上的金面与OSP溶液接触时，因咪唑氮上的孤对电子与零价金的5f空轨道会形成某种弱的配位关系，使咪唑类物质会以一定的比例吸附在金的表面，再通过另一咪唑氮的去质子化与氧化过程，金面与咪唑类物质的结合更加紧密，在二价铜及氧存在的条件下，金面上的咪唑环与铜离子发生交叉偶联反应，不断向外扩展，便形成了一层有机聚合物，覆盖于金面上，即所谓的金面上膜现象。

虽然美国Enthone公司的专利ZL00814440.0对铜金之间选择性提供了解决方案，但在实际应用过程中，仍然时不时会出现金面上膜的问题，特别是在化镍金工艺管控不严、金面品质不佳的情况下更容易出现，导致大量的PCB板报废和经济损失。因此，彻底解决OSP的铜金选择性问题已势在必行。

发明内容

基于此，本发明的目的是提供一种3,6-二氧杂-1,8-辛二胺四乙酸衍生物的在OSP处理液中的应用。

具有式I结构的化合物在印制线路板的OSP处理液中的应用，

其中，R₁、R₂、R₃、R₄分别独立选自：氢、C1～C5的直链或支链烷基、C1～C5的直链或支链烯烃基、C1～C5含卤素的烷基或烯烃基、C1～C5含羟基的烷基或烯烃基。