[发明专利]分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极的制备

说明书

本发明涉及一种分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极的制备方法，包括以下步骤：制备聚对氨基苯磺酸修饰电极、制备分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极。本发明的有益效果：分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极的制备过程简单环保无污染。此外，聚对氨基苯磺酸的引入可增加与色氨酸三维空间匹配的空腔数量，从而得到的分子印迹材料对于色氨酸对映体的识别效率显著提升。

技术领域

本发明涉及一种分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极的制备方法，属于电化学和材料研究领域。

背景技术

手性化合物是具有极其相似的物理化学性质的光学异构体，两者很难区分，因此在生化分析领域，手性化合物的识别和拆分是一项困难且艰巨的任务。在过去，广泛应用于识别手性化合物的方法主要有色谱技术、光谱技术和电化学技术等。如今，由于电化学分析方法具备灵敏度高、干扰小和操作简单等优点，因此基于电化学技术的手性识别方法非常有希望也最容易推广。

人体内的各种蛋白质是由20种基本氨基酸构成的，它们与人类的生命息息相关。而构成蛋白质的基本氨基酸大多为L-构型，因此基于L-构型氨基酸的手性传感器的研究备受关注。由于分子印迹聚合物具有很多优势如构型预定性、高选择性、易于制备和相对低的成本等，因此在过去几十年中，分子印迹聚合物(MIPs)作为L-构型氨基酸手性识别材料的研究已经取得了很大进展。导电聚合物可以将分子印迹技术与电化学技术完美结合，但是传统的MIPs存在印迹位点较少的缺陷，使其对于目标分子具有较低的识别效率，这限制了导电高分子作为分子印迹材料的应用，因此如何增加模板分子在导电高分子内部的印迹位点是个研究热点。

聚对氨基苯磺酸(pABSA)含有的磺酸基团能与苯环可通过静电作用与π-π共轭作用与有机客体分子结合，从而可将其用于分子印迹的基底材料。通过循环伏安法制备得到pABSA修饰玻碳电极(pABSA/GCE)，并在该修饰电极表面继续修饰分子印迹过氧化聚吡咯，可得到分子印迹过氧化聚吡咯/pABSA/GCE(MIOPPy/pABSA/GCE)，该分子印迹电极可用于色氨酸对映体的电化学手性识别。

发明内容

本发明涉及一种分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极的制备方法，包括以下步骤：

a、制备pABSA修饰电极：采用直径为3mm的玻碳电极(GCE)为工作电极，铂片为辅助电极，饱和甘汞电极为参比电极的三电极体系；称取15mg对氨基苯磺酸溶于20mL 0.1M的磷酸盐缓冲溶液(pH＝7.0)中，在-1.5～2.5V的电位窗口内，以0.1V/s的扫速采用循环伏安法制备得到pABSA修饰电极，记为pABSA/GCE；

b、制备MIOPPy/pABSA/GCE：将pABSA/GCE浸入包括2mM L-色氨酸、0.1M吡咯和0.1MPBS(pH＝3.5)的混合溶液中静置20min，然后在-0.6～0.8V(vs.SCE)的电化学范围内，以0.1V/s的扫速循环伏安(CV)10圈，得到掺杂有L-色氨酸的PPy/pABSA修饰电极(PPy/pABSA/GCE)；再将该修饰电极浸入0.1M H₂SO₄溶液中，施加0.4V的电位脱掺杂1000s得到分子印PPy/pABSA修饰电极，即MIPPy/pABSA/GCE；为了规避PPy的氧化峰对于电化学检测Trp的影响，将MIPPy/pABSA/GCE置于0.1M的NaOH溶液中，在0.4～1.2V的电化学窗口内进行CV，直到出现稳定的CV曲线，得到MIOPPy/pABSA/GCE。

进一步，步骤a中对氨基苯磺酸的质量为15mg，磷酸盐缓冲溶液的pH为3.5。

进一步，步骤b中磷酸盐缓冲液的pH值为4，静置时间为20min，脱掺杂的恒电位为0.4V。

附图说明

下面结合附图对本发明进一步说明。

图1为色氨酸对映体在MIOPPy/pABSA/GCE上的DPV图。