[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710313105.6 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN108807179B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 刘艳;刘佳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底上形成有栅极；
在所述栅极的侧壁上形成第一侧墙；
形成第一侧墙后，于基底上形成氧化层；
在所述第一侧墙的侧壁上形成第二侧墙，所述栅极、所述第一侧墙和所述第二侧墙构成栅极结构；
在所述栅极结构两侧的氧化层和基底中形成沟槽；
形成所述沟槽的步骤包括：对所述栅极结构两侧的氧化层和基底进行第一刻蚀，形成初始沟槽；对所述初始沟槽进行清洗处理，通过所述清洗处理使得所述第二侧墙与所述基底之间的氧化层也同时被部分去除，位于所述第二侧墙底部的剩余氧化层与基底之间具有切角；对经过清洗处理之后的初始沟槽进行第二刻蚀，形成所述沟槽；所述沟槽具有Σ形状。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺为干法刻蚀。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述初始沟槽进行清洗处理的步骤中，采用稀释的HF清洗所述初始沟槽。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺为湿法刻蚀。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化层的材料为氧化硅。
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化层的厚度在20埃至30埃范围内。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述氧化层的工艺为氧化生长、化学气相沉积或者原子层沉积。
8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙和所述第二侧墙的材料为氮化物。
9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙的厚度在100埃至180埃范围内。
10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述沟槽之后，还包括：形成填充满所述沟槽的源漏外延掺杂层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
