[发明专利]一种改善肖特基势垒层均匀性的清洗方法在审

专利信息
申请号: 201710312966.2 申请日: 2017-05-05
公开(公告)号: CN106935486A 公开(公告)日: 2017-07-07
发明(设计)人: 刘闯;刘文彬 申请(专利权)人: 天津中环半导体股份有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 天津滨海科纬知识产权代理有限公司12211 代理人: 李纳
地址: 300384 天津市滨海新区高新区*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 改善 肖特基势垒层 均匀 清洗 方法
【权利要求书】:

1.一种改善肖特基势垒层均匀性的清洗方法,所述肖特基势垒层通过蒸发或者溅射的方式将金属与衬底硅结合形成,其特征在于:在蒸发或者溅射之前对衬底硅表面进行清洗,所述清洗方法包括如下步骤:

(1)量取一定量的浓硫酸和双氧水,并将浓硫酸和双氧水按体积比混合配置成1号液,用1号液清洗衬底硅表面并对衬底硅表面冲水,去除衬底硅表面的金属离子及有机沾污;

(2)量取一定量的氢氟酸和蒸馏水,混合例配置成2号液,用2号液清洗步骤(1)得到的衬底硅表面,进行槽腐蚀,并对衬底硅表面冲水,去除自然氧化层和前序工艺产生的氧化层;

(3)量取一定量的双氧水和蒸馏水,混合配置成3号液,用3号液清洗步骤(2)得到的衬底硅表面并对衬底硅表面冲水,对衬底硅表面进行亲水性处理;

(4)通过旋转甩干方式对步骤(3)得到的衬底硅进行干燥处理。

2.根据权利要求1所述的一种改善肖特基势垒层均匀性的清洗方法,其特征在于:所述浓硫酸的质量分数为98%,所述双氧水的质量分数为31%。

3.根据权利要求1所述的一种改善肖特基势垒层均匀性的清洗方法,其特征在于:所述步骤(1)中浓硫酸和双氧水的体积比为:5:1~50:1;所述步骤(2)中氢氟酸和蒸馏水混合后配置成的2号液中氢氟酸的质量分数为0.49%~8.17%;所述步骤(3)中双氧水和蒸馏水混合后配置成的3号液中双氧水的质量分数为0.61%~15.50%。

4.根据权利要求1或3所述的一种改善肖特基势垒层均匀性的清洗方法,其特征在于:所述步骤(1)中浓硫酸和双氧水的体积比为:8:1,所述步骤(2)中氢氟酸和蒸馏水混合后配置成的2号液中氢氟酸的质量分数为0.96%,所述步骤(3)中双氧水和蒸馏水混合后配置成的3号液中双氧水的质量分数为7.75%。

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