[发明专利]一种并联MOS管均流及短路保护电路

说明书

一种并联MOS管均流及短路保护电路，涉及电子电路的技术领域以电力电子领域；包括开关量监测电路、模拟量监测电路、快速监测电路、MOS管并联均流电路、驱动电路、主控电路、主控电路和主控电路；其中，开关量监测电路的一端与主控电路连接；开关量监测电路的另一端分别与主控电路和模拟量监测电路的一端连接；模拟量监测电路的另一端与快速监测电路连接；快速监测电路分别与主控电路和MOS管并联均流电路的一端连接；MOS管并联均流电路分别与驱动电路和外部母线电压连接；本发明实现了每个MOS管流过的电流和开关速度相等，能够迅速有效的检测到MOS当前运行状态；电路搭建简单可靠，占用PCB板的面积较小。

技术领域

本发明涉及一种电子电路的技术领域以电力电子领域，特别是一种并联MOS管均流及短路保护电路。

背景技术

MOS管是金属氧化物半导体场效应管(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor)。随着电子电力技术的发展，功率MOSFET以其高频性能好、开关损耗小、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单等，得到了越来越广泛的应用。在低压大功率的许多应用场合，如电动三轮车、小型电动叉车等，为了满足电流的要求，无一例外的是采用MOS管并联的方法。但MOS管并联使用时，均流问题一直没有得到有效的解决，这样就可能因为电流不均使MOS管损坏；同时，在MOS管使用时，很少加入对MOS管的短路保护功能，即使加入了MOS管的保护电路，也会因为对保护状态的误判或者反应不及时对MOS管起不到的很大的作用，从而导致多个并联的MOS管直通、损坏，这样大大提高了研发的成本。

目前技术在MOS管并联使用时，均流问题一直没有得到有效的解决，这样就可能因为电流不均使MOS管损坏；同时，在MOS管使用时，很少加入对MOS管的短路保护功能，即使加入了MOS管的保护电路，也会因为对保护状态的误判或者反应不及时对MOS管起不到的很大的作用，从而导致多个并联的MOS管直通、损坏，这样大大提高了研发的成本。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种并联Mos管均流及短路保护电路，实现了每个MOS管流过的电流和开关速度相等，能够迅速有效的检测到MOS当前运行状态；电路搭建简单可靠，占用PCB板的面积较小。

本发明的上述目的是通过如下技术方案予以实现的：

一种并联MOS管均流及短路保护电路，包括开关量监测电路、模拟量监测电路、快速监测电路、MOS管并联均流电路、驱动电路和主控电路；其中，开关量监测电路的一端与主控电路连接；开关量监测电路的另一端分别与主控电路和模拟量监测电路的一端连接；模拟量监测电路的另一端与快速监测电路连接；快速监测电路分别与主控电路和MOS管并联均流电路的一端连接；MOS管并联均流电路分别与驱动电路和外部母线电压连接。

在上述的一种并联MOS管均流及短路保护电路，所述开关量监测电路包括比较器U1A、电阻R1、R15、R16和电容C1；其中，比较器U1A的负输入端分别与主控电路和模拟量监测电路连接；比较器U1A的正输入端分别与电阻R15和电阻R16的一端连接；电阻R16的另一端分别与比较器U1A的4号管脚和GND连接；电阻R15的另一端分别与比较器U1A的8号管脚和15V电源连接；比较器U1A的输出端分别与主控电路、电阻R1和电容C1连接；电阻R1的另一端与3.3V电源连接；电容C1的另一端接地。

在上述的一种并联MOS管均流及短路保护电路，所述模拟量监测电路包括运算放大器U2A、电阻R6、电阻R7和电容C4；其中，运算放大器U2A的负输入端分别与运算放大器U2A的输出端、主控电路和开关量监测电路连接；运算放大器U2A的正输入端分别与电容C4、电阻R6和电阻R7的一端连接；电阻R7的另一端与快速监测电路连接；电容C4与电阻R6并联后与运算放大器U2A的4号管脚连接，并接地；运算放大器U2A的8号管脚与15V电源连接。