[发明专利]双极性晶体管

说明书

本发明公开一种双极性晶体管，其主要包含一射极区、一基极区以及一集极区，其中射极区的边缘切齐基极区的边缘。此外，基极区的边缘切齐集极区的边缘，射极区的边缘同时切齐基极区与集极区的边缘且射极区的边缘宽度等于基极区的边缘宽度。另外依据双极性晶体管的一俯视角，基极区与集极区各包含矩形。

技术领域

本发明涉及一种具有低集极区与基极区面积的双极性晶体管。

背景技术

双极性晶体管主要由三部分掺杂程度不同的半导体材料所组成，其中晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN接面处的扩散作用和漂移运动。以NPN晶体管为例，按照设计，高掺杂的射极区域的电子，通过扩散作用运动到基极。在基极区域，空穴为多数载流子，而电子少数载流子。由于基极区域很薄，这些电子又通过漂移运动到达集极，从而形成集极电流，因此双极性晶体管被归到少数载流子设备。双极性晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。

然而至今双极性晶体管的设计均仍不尽理想，特别是基极区域与集极区域所占据面积过大进而影响元件效能。因此如何改良现今的双极性晶体管结构极为现今一重要课题。

发明内容

本发明公开一种双极性晶体管，其主要包含一射极区、一基极区以及一集极区，其中射极区的边缘切齐基极区的边缘。此外，基极区的边缘切齐集极区的边缘，射极区的边缘同时切齐基极区与集极区的边缘且射极区的边缘宽度等于基极区的边缘宽度。另外依据双极性晶体管的一俯视角，基极区与集极区各包含矩形。

本发明另一实施例公开一种双极性晶体管，其主要包含一射极区、一基极区以及一集极区，其中各该射极区、该基极区以及该集极区包含一鳍状结构。其中射极区、基极区以及集极区沿着一第一方向延伸而鳍状结构则沿着一第二方向延伸。此外，射极区的边缘切齐该基极区的边缘，基极区的边缘切齐集极区的边缘，射极区的边缘同时切齐基极区与集极区的边缘且射极区的边缘宽度等于基极区的边缘宽度。另外依据双极性晶体管的一俯视角，基极区与集极区各包含矩形。

附图说明

图1为本发明第一实施例的一双极性晶体管的一结构示意图；

图2为图1中沿着切线AA'的剖面示意图；

图3为本发明第二实施例的一双极性晶体管的一结构示意图；

图4为图1中沿着切线BB'的剖面示意图。

主要元件符号说明

12 基底 14 射极区

16 基极区 18 集极区

20 第一基极区 22 第二基极区

24 第一集极区 26 第二集极区

28 浅沟隔离 30 N阱

32 P阱 34 N阱

36 深N阱

42 基底 44 射极区

46 基极区 48 集极区

50 鳍状结构 52 浅沟隔离

54 第一射极区 56 第二射极区