[发明专利]一种基于半桥结构的充放电电路和方法在审
申请号: | 201710311926.6 | 申请日: | 2017-05-05 |
公开(公告)号: | CN106972602A | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 徐利东;闵卫丰 | 申请(专利权)人: | 江苏金帆电源科技有限公司 |
主分类号: | H02J7/04 | 分类号: | H02J7/04;H02M1/14 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司32218 | 代理人: | 夏平 |
地址: | 215600 江苏省苏州市张家港市经*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 结构 放电 电路 方法 | ||
1.一种基于半桥结构的充放电电路,包括:AC/DC双向逆变器和并联在AC/DC双向逆变器的直流输出端上的母线滤波电路,其特征在于:所述的充放电电路还包括有:至少三路相互并联的充放电单元、以及为这至少三路充放电单元提供相位角相互错开的PWM错相驱动电路,每个充放电单元包括有:第一IGBT单元和第二IGBT单元,第一IGBT单元的集电极与所述AC/DC双向逆变器的直流正极相连,第一IGBT单元的发射极与第二IGBT单元的集电极相连、作为该充放电单元的输出端,第二IGBT单元的发射极与AC/DC双向逆变器的直流负极相连、作为该充放电单元的接地端;充放电单元的输出端分别串接有相匹配的电抗器后并接、作为所述充放电单元的输出端,所有的第一IGBT单元和第二IGBT单元的基极与所述PWM错相驱动电路的相应输出端相连。
2.根据权利要求1所述的基于半桥结构的充放电电路,其特征在于:所述充放电单元的输出端与所述充放电电路的输出端之间还串接有分流器。
3.根据权利要求1所述的基于半桥结构的充放电电路,其特征在于:所述的IGBT单元为IGBT模块。
4.根据权利要求1所述的基于半桥结构的充放电电路,其特征在于:所述的IGBT单元由至少两个IGBT单管并联而成。
5.根据权利要求1至4之一所述的基于半桥结构的充放电电路,其特征在于:所述的母线滤波电路由至少两个容量相同的电解电容并联而成。
6.一种基于半桥结构的充放电方法,该方法采用了N路充放电电路以PWM错相方式进行循环接力充电或放电,N≥3,其具体步骤为:将每个PWM周期N等分,使得在每个PWM周期的N个1/N周期中,这N路充放电电路对负臷进行充电或放电接力,如此循环往复。
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