[发明专利]具有共用一个滤色器和微透镜的光电二极管的图像传感器有效
| 申请号: | 201710311914.3 | 申请日: | 2017-05-05 |
| 公开(公告)号: | CN107579084B | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
| 发明(设计)人: | 李元俊 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 郭放;许伟群 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 共用 一个 滤色器 透镜 光电二极管 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括:
第一浮置扩散区以及第一光电二极管、第二光电二极管、第三光电二极管和第四光电二极管,所述第一浮置扩散区以及所述第一光电二极管、所述第二光电二极管、所述第三光电二极管和所述第四光电二极管组合形成第一单位像素;
第二浮置扩散区以及第五光电二极管、第六光电二极管、第七光电二极管和第八光电二极管,所述第二浮置扩散区以及所述第五光电二极管、所述第六光电二极管、所述第七光电二极管和所述第八光电二极管组合形成第二单位像素,
其中,第一光电二极管、第二光电二极管、第三光电二极管和第四光电二极管围绕并且共用第一浮置扩散区,
其中,第五光电二极管、第六光电二极管、第七光电二极管和第八光电二极管围绕并且共用第二浮置扩散区,
其中,第一光电二极管、第三光电二极管、第五光电二极管和第七光电二极管沿第一方向布置,
其中,第一光电二极管和第七光电二极管沿第一方向彼此相邻,
其中,第二光电二极管和第四光电二极管沿与第一方向垂直的第二方向布置,
其中,第六光电二极管和第八光电二极管沿与第一方向垂直且与第二方向平行的第三方向布置,以及
其中,第一浮置扩散区和第二浮置扩散区沿第一方向布置,
其中,第一光电二极管至第八光电二极管具有等腰梯形、直角三角形或等腰三角形形状中的一种,
其中,第一光电二极管至第八光电二极管中的每个具有沿两个对角线方向之一延伸的底边以及沿垂直和水平方向延伸的两个侧边,以及
其中,第一光电二极管的底边和第七光电二极管的底边彼此相邻。
2.如权利要求1所述的图像传感器,还包括:
第一滤色器,与第一光电二极管和第七光电二极管重叠并且由所述第一光电二极管和所述第七光电二极管共用;以及
第一微透镜,与第一滤色器重叠。
3.如权利要求2所述的图像传感器,
其中,第一滤色器具有第一尺寸,
其中,第一光电二极管至第八光电二极管中的每个具有第二尺寸,以及
其中,第二尺寸是第一尺寸的一半。
4.如权利要求1所述的图像传感器,还包括:
第一传输门、第二传输门、第三传输门和第四传输门,所述第一传输门、所述第二传输门、所述第三传输门和所述第四传输门分别耦接在第一浮置扩散区与第一光电二极管、第二光电二极管、第三光电二极管和第四光电二极管之间,以及
第五传输门、第六传输门、第七传输门和第八传输门,所述第五传输门、所述第六传输门、所述第七传输门和所述第八传输门分别耦接在第二浮置扩散区与第五光电二极管、第六光电二极管、第七光电二极管和第八光电二极管之间。
5.如权利要求1所述的图像传感器,还包括:
第一滤色器,与第一光电二极管、第二光电二极管、第三光电二极管和第四光电二极管重叠;以及
第二滤色器,与第五光电二极管、第六光电二极管、第七光电二极管和第八光电二极管重叠。
6.如权利要求5所述的图像传感器,还包括:
第一微透镜,与第一滤色器重叠;以及
第二微透镜,与第二滤色器重叠。
7.一种图像传感器,包括:
第一光电二极管至第八光电二极管;
滤色器,与所述第一光电二极管至第八光电二极管中的两个或更多个光电二极管重叠并且由所述第一光电二极管至第八光电二极管中的所述两个或更多个光电二极管共用;以及
微透镜,与所述滤色器重叠,
其中,第一光电二极管至第八光电二极管中的每个具有等腰梯形、直角三角形或等腰三角形形状中的一个,
其中,第一光电二极管和第五光电二极管彼此相邻,在形状上彼此对称,以及组合形成矩形形状,
其中,第二光电二极管和第六光电二极管彼此相邻,在形状上彼此对称,以及组合形成矩形形状,
其中,第三光电二极管和第七光电二极管彼此相邻,在形状上彼此对称,以及组合形成矩形形状,以及
其中,第四光电二极管和第八光电二极管彼此相邻,在形状上彼此对称,以及组合形成矩形形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





