[发明专利]自愈合SiC/ZrSi2

权利要求书

1.一种利用自愈合SiC/ZrSi₂-MoSi₂涂层材料在SiC包埋C/C复合材料制备的ZrSi₂-MoSi₂涂层的方法，其特征在于：所述自愈合SiC/ZrSi₂-MoSi₂涂层材料组份的质量百分比为：20～50％的ZrSi₂和50～80％的MoSi₂；

所述方法具体步骤如下：

步骤1：将ZrSi₂粉和MoSi₂粉混合得到混合粉；

步骤2：将混合粉与3％的PVA溶液混合得到料浆，混合体积比为1:1；

步骤3：将混合料浆进行离心喷雾干燥，得到球化粉末；所述的离心喷雾进口温度为300～350℃，出口温度为100～150℃；

步骤4：将球化粉末等离子喷涂在SiC包埋C/C复合材料上，得到ZrSi₂-MoSi₂涂层。

2.根据权利要求1所述利用自愈合SiC/ZrSi₂-MoSi₂涂层材料在SiC包埋C/C复合材料制备的ZrSi₂-MoSi₂涂层的方法，其特征在于：所述ZrSi₂粉和MoSi₂粉的平均粒径不超过5μm。

3.根据权利要求1所述利用自愈合SiC/ZrSi₂-MoSi₂涂层材料在SiC包埋C/C复合材料制备的ZrSi₂-MoSi₂涂层的方法，其特征在于：所述ZrSi₂粉和MoSi₂粉的纯度不低于99％。

4.根据权利要求1所述利用自愈合SiC/ZrSi₂-MoSi₂涂层材料在SiC包埋C/C复合材料制备的ZrSi₂-MoSi₂涂层的方法，其特征在于：所述步骤4中SiC包埋C/C复合材料的制备过程为：

步骤a：将C/C复合材料并用无水乙醇超声清洗后烘干；

步骤b、包埋熔渗：将C/C复合材料置于石墨坩埚中并埋入包埋原料中，石墨坩埚置于高温石墨化热处理炉中常压处理1～2h，以氩气为保护气体，处理温度为1900～2000℃，升温速率为10℃/min，自然冷却，得到表面为SiC包埋涂层的C/C复合材料；

所述包埋原料组份的质量分数为：65～80％的硅粉，10～20％的碳粉和10～15％的氧化铝粉；

所述包埋原料的制备为：三种粉料在氧化锆球磨罐中混合为包埋原料。

5.根据权利要求4所述利用自愈合SiC/ZrSi₂-MoSi₂涂层材料在SiC包埋C/C复合材料制备的ZrSi₂-MoSi₂涂层的方法，其特征在于：所述三种粉料的粒度为300目。