[发明专利]功率放大器电路及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201710310036.3 申请日: 2017-05-05
公开(公告)号: CN108809259B 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 孙浩 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F3/193;H03F3/21;H03F3/24;H03G3/30
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 赵倩男
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 功率放大器 电路 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种功率放大器电路,其特征在于,包括:

依次连接的差分到单端转换器、增益级电路、驱动级电路和输出级电路;

偏置电路,与所述增益级电路的偏置电压端口连接,用于调节所述增益级电路的偏置电压;

其中,所述偏置电路包括:

第一电流源组,所述第一电流源组内的各电流源的第一端通过开关与电源电压连接,所述第一电流源组内的各电流源的第二端与所述增益级电路的偏置电压端口连接;

第二电流源组,所述第二电流源组内的各电流源的第一端通过开关与所述增益级电路的偏置电压端口连接,所述第二电流源组内的各电流源的第二端接地;和

传输门控制单元,所述传输门控制单元分别与所述第一电流源组的第二端、所述第二电流源组的第一端以及所述偏置电压端口连接。

2.根据权利要求1所述的功率放大器电路,其特征在于,所述传输门控制单元包括:

第一PMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管的栅极分别与第一开关组的第一端和第二开关组的第一端连接,所述第一PMOS晶体管的源极分别与电源电压和所述第一开关组的第二端连接,所述第一PMOS晶体管的漏极分别与所述偏置电压端口和所述第二开关组的第二端连接;和

第一NMOS晶体管,所述第一NMOS晶体管的栅极分别与第三开关组的第一端和第四开关组的第一端连接,所述第一NMOS晶体管的漏极分别与所述偏置电压端口和所述第三开关组的第二端连接,所述第一NMOS晶体管的源极接地,所述第四开关组的第二端与所述第一NMOS晶体管的源极连接。

3.根据权利要求2所述的功率放大器电路,其特征在于:

所述第一开关组的PMOS晶体管的栅极、所述第二开关组的NMOS晶体管的栅极、所述第三开关组的NMOS晶体管的栅极和所述第四开关组的PMOS晶体管的栅极分别与使能端连接;

所述第一开关组的NMOS晶体管的栅极、所述第二开关组的PMOS晶体管的栅极、所述第三开关组的PMOS晶体管的栅极和所述第四开关组的NMOS晶体管的栅极分别与反向使能端连接。

4.根据权利要求1-3任一所述的功率放大器电路,其特征在于,所述增益级电路包括:

至少一个放大器,所述放大器的输入端与所述偏置电压端口连接,所述放大器的电源端与电源电压连接,所述放大器的接地端接地。

5.根据权利要求1-3任一所述的功率放大器电路,其特征在于,所述驱动级电路包括多个级联的放大器。

6.根据权利要求5所述的功率放大器电路,其特征在于,所述驱动级电路的多个级联的放大器构成锥形放大器链。

7.根据权利要求5所述的功率放大器电路,其特征在于,所述放大器为反向放大器。

8.根据权利要求1-3任一所述的功率放大器电路,其特征在于,所述输出级电路与串联谐振网络连接。

9.根据权利要求1-3任一所述的功率放大器电路,其特征在于,所述输出级电路为D类开关型结构。

10.根据权利要求1-3任一所述的功率放大器电路,其特征在于,所述差分到单端转换器为折叠共源共栅结构。

11.一种形成功率放大器电路的方法,其特征在于,包括:

将差分到单端转换器、增益级电路、驱动级电路和输出级电路依次连接;

将偏置电路与所述增益级电路的偏置电压端口连接,以便调节所述增益级电路的偏置电压;

通过控制所述偏置电路中第一电流源组内的各电流源和第二电流源组内的各电流源的通断来调节所述增益级电路的偏置电压;和

通过所述偏置电路的传输门控制单元来控制所述第一电流源组和所述第二电流源组的工作状态。

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