[发明专利]低应力集成设备封装在审
申请号: | 201710309929.6 | 申请日: | 2017-05-05 |
公开(公告)号: | CN107344710A | 公开(公告)日: | 2017-11-14 |
发明(设计)人: | T·M·戈伊达 | 申请(专利权)人: | 美国亚德诺半导体公司 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应力 集成 设备 封装 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年5月6日提交的美国临时专利申请No.62/332,950的优先权,其全部内容通过引用整体并入本文用于所有目的。
技术领域
该领域一般涉及低应力集成器件封装以及用于制造低应力集成器件封装的低应力集成器件封装和方法。
背景技术
微机电系统(MEMS)设备通常包括对外力、干扰和/或环境污染物敏感的可移动组件。例如,MEMS运动传感器设备(诸如陀螺仪、加速度计等)可以包括对这样的外部力非常敏感的可移动光束,以便将MEMS器件封装到较大的电气或电子系统中可能是具有挑战性的。因此,对于诸如MEMS封装的集成器件封装仍然需要改进的低应力封装技术。
发明内容
在一个实施例中,公开了一种集成器件封装。封装可以包括限定空腔的封装结构。封装可以包括至少部分地设置在空腔内的集成器件管芯(die)。该封装可以包括腔内的凝胶,围绕集成器件管芯的凝胶。
在另一个实施例中,公开了一种集成器件封装。封装可以包括载体和在载体的顶表面上的填充材料。封装可以包括嵌入或设置在填充材料内的集成器件管芯,使得填充材料的至少一部分设置在集成器件管芯的底表面和载体的顶表面之间的整体器件管芯的整个底表面下方。
在另一个实施例中,公开了一种用于制造集成器件封装的方法。该方法可以包括提供至少部分地嵌入或设置在低应力填充材料内的载体。该方法可以包括将集成器件管芯嵌入或布置在填充材料中,使得填充材料的至少一部分设置在集成器件管芯的底表面和载体的顶表面之间的集成设备器件管芯整个底表面下方。
在另一个实施例中,公开了一种集成器件封装。封装可以包括载体和限定气体腔的封装结构。封装可以包括至少部分地设置在气体腔内的集成器件管芯,该集成器件管芯通过接合线至少部分地支撑在载体上方,使得间隙设置在集成器件管芯的至少一部分与载体之间。
为了总结与现有技术相比的优点,本文已经描述了某些目的和优点。当然,应当理解,根据任何具体实施例,不一定都可以实现所有这些目的或优点。因此,例如,本领域技术人员将认识到,本文教导的原理可以以实现或优化本文所教导或建议的一个优点或优点组合的方式来实现或实施,而不一定实现其他目的或优点,如在这里教导或建议。
所有这些实施例都旨在在本文公开的本发明的范围内。对于本领域技术人员来说,这些和其它实施例对于优选实施例的以下详细描述参考附图将变得显而易见,本发明不限于所公开的任何具体实施例。
附图说明
这些方面和其它方面将从以下对优选实施例和附图的描述中变得显而易见,这些实施例和附图旨在说明而不是限制本发明,其中:
图1A是根据一个实施例的部分组装的封装的示意性侧剖视图,其包括载体和通过临时的芯片附着材料临时附接到载体的顶表面的集成器件管芯。
图1B是将管芯引线接合到载体之后的图1A的部分组装的封装的示意性侧剖视图。
图1C是在去除临时管芯附着材料之后图1B的部分组装的封装的示意性侧剖视图。
图1D是在图1C的管芯上施加填充材料之后组装的封装的示意性侧剖视图。
图2A是根据另一实施例的部分组装的集成器件封装的示意性侧剖视图,其包括限定空腔的壳体。
图2B是在将包括集成器件管芯的载体安装到腔中的壳体之后,图2A的部分组装的集成器件封装的示意性侧剖视图。
图2C是在将承载线引线接合到壳体的引线之后,图2B的部分组装的集成器件封装的示意性侧剖视图。
图2D是在将集成器件管芯安装到具有临时贴片材料的载体上之后,图2C的部分组装的集成器件封装的示意性侧剖视图。
图2E是在去除临时管芯附着材料之后图2D的部分组装的集成器件封装的示意性侧剖视图。
图2F是根据各种实施例,在将填充材料设置在整体式器件管芯上并且在图2E的填充材料和空腔之上提供盖子之后,组装的集成器件封装的示意性侧剖视图。
图2G是根据各种实施例的在将集成器件管芯上的填充材料设置在图2E的空腔中之后组装的集成器件封装的示意性侧剖视图。
图2H是根据另一实施例的在将盖安装在图2E的空腔壁上之后的组装的集成器件封装的示意性侧视剖视图。
图3是示出根据各种实施例的用于制造集成设备包的示例性方法的流程图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美国亚德诺半导体公司,未经美国亚德诺半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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