[发明专利]单晶硅晶体管CMOS驱动显示的像素补偿电路及显示设备在审
申请号: | 201710309782.0 | 申请日: | 2017-05-04 |
公开(公告)号: | CN107086024A | 公开(公告)日: | 2017-08-22 |
发明(设计)人: | 吴素华;黎守新 | 申请(专利权)人: | 成都晶砂科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/3233 | 分类号: | G09G3/3233;G09G3/3266 |
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地址: | 610000 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单晶硅 晶体管 cmos 驱动 显示 像素 补偿 电路 设备 | ||
1.一种单晶硅晶体管CMOS驱动显示的像素补偿电路,其特征在于,包括:
驱动晶体管,其源极与工作电压端电气连接,其漏极与发光器件的阳极电气连接;
第一开关单元,其第一端用于输入数据信号,其第三端用于输入第一控制信号;
第二开关单元,其第一端用于输入基准电流,其第二端与所述驱动晶体管的栅极电气连接,其第三端用于输入第一控制信号;
第三开关单元,其第一端用于输入基准电流,其第二端与所述驱动晶体管的漏极电气连接,其第三端用于输入第一控制信号;
第四开关单元,其第一端与所述第一开关单元的第二端电气连接,其第二端与所述驱动晶体管的源极电气连接,其第三端用于输入第一控制信号或第二控制信号;
其中,第一控制信号控制所述第一、二、三开关单元的相应第一端、第二端连通或断开,第一控制信号控制所述第四开关单元的第一端、第二端连通或断开或者第二控制信号控制所述第四开关单元的第一端、第二端连通或断开;所述发光器件的阴极与公共接地极电气连接。
2.根据权利要求1所述的单晶硅晶体管CMOS驱动显示的像素补偿电路,其特征在于,所述第一开关单元包括第一晶体管,第一晶体管的源极作为第一端,第一晶体管的漏极作为第二端,所述第一控制信号由第一晶体管的栅极输入。
3.根据权利要求1所述的单晶硅晶体管CMOS驱动显示的像素补偿电路,其特征在于,所述第二开关单元包括第二晶体管,第二晶体的管源极作为第一端,第二晶体管的漏极作为第二端,所述第一控制信号由第二晶体管的栅极输入。
4.根据权利要求1所述的单晶硅晶体管CMOS驱动显示的像素补偿电路,其特征在于,所述第三开关单元包括第三晶体管,第三晶体管的源极作为第一端,第三晶体管的漏极作为第二端,所述第一控制信号由第三晶体管的栅极输入。
5.根据权利要求1所述的单晶硅晶体管CMOS驱动显示的像素补偿电路,其特征在于,所述第四开关单元包括第四晶体管,第四晶体管的源极作为第二端,第四晶体管的漏极作为第一端,所述第一、二控制信号由第四晶体管的栅极输入。
6.根据权利要求1-5任一项所述的单晶硅晶体管CMOS驱动显示的像素补偿电路,其特征在于,还包括一端与所述第一开关单元的第二端电气连接的另一端与所述驱动晶体管的栅极电气连接的电容。
7.一种显示设备,其特征在于,包括权利要求1-6任一项所述的单晶硅晶体管CMOS驱动显示的像素补偿电路。
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