[发明专利]一种微显示OLED器件及制造方法

权利要求书

1.一种微显示OLED器件，其特征在于，所述微显示OLED器件包括CMOS电路、阴极、电子注入层EIL、电子传输层ETL、发光层EML、空穴传输层HTL、空穴注入层HIL、阳极、封装薄膜层；在CMOS电路上依次设置阴极、电子注入层EIL、电子传输层ETL、发光层EML、空穴传输层HTL、空穴注入层HIL、阳极、封装薄膜层，发光层发出的光从阳极方向透射出来。

2.如权利要求1所述的一种微显示OLED器件，其特征在于，所述阴极是Al、Mg、Ag中的任一一种或者其合金，所述阴极按像素排列制作成像素图案。

3.如权利要求1或者2所述的一种微显示OLED器件，其特征在于，所述阳极是透明导电氧化物，且阳极为所有像素共用。

4.如权利要求3所述的一种微显示OLED器件，其特征在于，所述透明导电氧化物是铟锡氧化物或者铟锌氧化物。

5.如权利要求1-4任一权利要求所述的一种微显示OLED器件，其特征在于，所述微显示OLED器件包括保护玻璃，所述保护玻璃设置于封装薄膜层上。

6.如权利要求5所述的一种微显示OLED器件，其特征在于，所述微显示OLED器件包括功能层。

7.如权利要求6所述的一种微显示OLED器件，其特征在于，所述微显示OLED器件功能层包括彩色滤光膜，所述彩色滤光膜设置于保护玻璃和封装薄膜层之间。

8.如权利要求7所述的一种微显示OLED器件，其特征在于，所述微显示OLED器件包括钝化保护层。

9.一种制作如权利要求1所述的微显示OLED器件的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤一：晶圆上制作CMOS驱动电路；

步骤二：沉积金属阴极；

步骤三：光刻形成阴极像素图案；

步骤四：真空蒸镀电子注入层EIL；

步骤五：真空蒸镀电子传输层ETL；

步骤六：真空蒸镀发光层EML；

步骤七：真空蒸镀空穴传输层HTL；

步骤八：真空蒸镀空穴注入层HIL；

步骤九：沉积透明阳极；

步骤十：制作封装薄膜层。