[发明专利]传感器模块及制造方法有效
| 申请号： | 201710304211.8 | 申请日： | 2017-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN107369696B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 马克·艾斯勒 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H10N59/00 | 分类号： | H10N59/00;H10N50/80;H10N50/10;H10N50/01;G01R33/09 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷兰埃*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 传感器 模块 制造 方法 | ||
1.一种磁阻性传感器模块，其特征在于包括：
集成电路；
磁阻性传感器元件，其布置成单片集成在所述集成电路上的桥电路；
布置在所述集成电路的上部主表面上的电介质层；以及
应力缓冲层，其布置在所述电介质层上并且在所述集成电路与所述磁阻性传感器元件之间，其中所述应力缓冲层被布置成仅位于所述磁阻性传感器元件下方的分立层；
其中所述应力缓冲层的热膨胀系数介于所述电介质层的热膨胀系数与所述磁阻性传感器元件的热膨胀系数之间，并且所述应力缓冲层布置成吸收在所述磁阻性传感器元件中诱发的温度相依性应力。
2.根据权利要求1所述的磁阻性传感器模块，其特征在于所述集成电路包括用于使所述磁阻性传感器元件与所述集成电路电接触的接触元件。
3. 根据权利要求1或2所述的磁阻性传感器模块，其特征在于所述应力缓冲层的热膨胀系数在0.5 x 10-6 /℃到23 x 10-6 /℃的范围内。
4.根据权利要求2所述的磁阻性传感器模块，其特征在于所述电介质层是氧化物层并且所述接触元件和磁阻性传感器元件是金属层。
5.一种制造磁阻性传感器模块的方法，其特征在于包括：
提供集成电路；
将磁阻性传感器元件单片集成为所述集成电路上的桥电路；
在所述集成电路的上部主表面上形成电介质层；以及
在所述电介质层上并且在所述集成电路与所述磁阻性传感器元件之间形成应力缓冲层，其中所述应力缓冲层被布置成仅位于所述磁阻性传感器元件下方的分立层，其中所述应力缓冲层的热膨胀系数介于所述电介质层的热膨胀系数与所述磁阻性传感器元件的热膨胀系数之间，并且所述应力缓冲层布置成吸收在所述磁阻性传感器元件中诱发的温度相依性应力。
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