[发明专利]一种化学气相沉膜装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体光电材料技术领域，尤其涉及一种化学气相沉膜装置。

背景技术

由于半导体工艺的发展，制备高质量的半导体薄膜工艺变得越来越重要，因此，化学气相沉膜装置在沉积半导体薄膜材料中得到了广泛的应用。

其中，化学气相沉膜装置在进行T/C(Transfer chamber，传递腔体)保养维修后，需要对传递腔体进行氦气测漏检测，来确认是否可以进入复机程序。在氦气测漏检测的过程中，先将传递腔体抽到真空，再连接氦气测漏仪，从传递腔体外部使用氦气进行检测。另外，还可以使用设备工作站内的功能进行保压测漏ROR(RISE OF RATE)，即，将传递腔体抽到真空后，关闭阀门，进行十分钟保压，若检测到传递腔体内部的压强小于1mTorr(毫托)，则表示传递腔体无漏气，可以复机。

因为传递腔体本身的容积较大，当需要进行测漏检测时，对传递腔体(T/C)进行抽真空需要耗时大约五十分钟，这将影响保养维修后复机的工作时间。因此，需要提供一种能够快速复机的化学气相沉膜装置。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种化学气相沉膜装置，旨在解决对承载腔体进行抽真空耗时较长而影响复机时间的问题。

为实现上述目的，本发明提出的化学气相沉膜装置包括：

制程腔体，所述制程腔体用于对基板进行化学气相沉膜；

传递腔体，所述传递腔体用于将所述基板传入所述制程腔体内；

承载腔体，所述承载腔体用于将所述基板传入所述传递腔体内；

第一真空泵，所述第一真空泵用于对所述传递腔体进行抽真空；

第二真空泵，所述第二真空泵用于对所述承载腔体进行抽真空；以及，

连通管路，所述传递腔体与所述第二真空泵还通过所述连通管路连接。

可选地，所述传递腔体与所述第一真空泵通过第一排气管路连接，且所述承载腔体与所述第二真空泵通过第二排气管路连接。

可选地，所述第一排气管路的两端分别设置有第一伸缩管路，所述第二排气管路的两端分别设置有第二伸缩管路，所述传递腔体与所述第一真空泵分别通过所述第一伸缩管路与所述第一排气管路连接，所述承载腔体与所述第二真空泵分别通过所述第二伸缩管路与所述第二排气管路连接。

可选地，所述第一排气管路的外径为12cm～18cm，所述第二排气管路的外径为8cm～12cm。

可选地，所述连通管路的一端与所述第一排气管路连通且所述连通管路的另一端与所述第二排气管路连通。

可选地，所述连通管路的外径为3cm～7cm。

可选地，所述连通管路上设置有连通阀门。

可选地，所述连通阀门为球阀、蝶阀或者闸阀。

可选地，所述连通阀门为手动截止阀、电动截止阀或者液控截止阀。

可选地，所述第二真空泵的数量为多个。

本发明技术方案中，充分利用对承载腔体进行抽真空的第二真空泵，通过在传递腔体与第二真空泵之间增设连通管路进行连接，以使得第一真空泵与第二真空泵能够同时对传递腔体进行抽真空，可以加快对传递腔体进行抽真空的速度，因而，缩短了保养后进行抽真空的时间，以提早实现复机。并且，同时采用第一真空泵与第二真空泵对传递腔体进行抽真空，可以减少抽真空时间。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明实施例的化学气相沉膜装置的结构模块图；

图2本发明实施例的化学气相沉膜装置的部分结构的示意图。

附图标号说明：