[发明专利]二维材料的制作方法

权利要求书

1.一种二维材料的制作方法，其特征在于，包含以下步骤：

于一基板上形成具有至少一二维材料元素的一薄膜；

于该薄膜上形成至少一包覆层；以及

于该包覆层形成后将该薄膜进行退火，以形成一二维材料膜。

2.如权利要求1所述的二维材料的制作方法，其特征在于，该薄膜是为包含至少一过渡金属与至少一硫属元素作为该二维材料元素的二维异质层，所述过渡金属是选自由钼、钨、铬、钒、铌、钽、铂、钛、铪、锆、铼所组成的群组，且所述硫属元素是选自由硫、硒、碲所组成的群组。

3.如权利要求2所述的二维材料的制作方法，其特征在于，于该薄膜形成步骤是于具有所述过渡金属与所述硫属元素的至少一靶材进行溅镀或蒸镀，且所述过渡金属与所述硫属元素具有非当量比。

4.如权利要求2所述的二维材料的制作方法，其特征在于，该退火步骤是于一无硫属气氛下进行。

5.如权利要求2所述的二维材料的制作方法，其特征在于，该退火步骤包含：调整退火时间与退火温度以控制该薄膜自具有第一结构相的该二维材料膜转换为具有第二结构相的该二维材料膜，其中该第一结构相与该第二结构相具有不同的导电特性。

6.如权利要求1所述的二维材料的制作方法，其特征在于，该薄膜是为包含至少一过渡金属与至少一非金属元素作为该二维材料元素的二维异质层，所述过渡金属是选自由钼、钨、铬、钒、铌、钽、铂、钛、铪、锆、铼所组成的群组，且所述非金属元素是选自由碳、氮所组成的群组。

7.如权利要求1所述的二维材料的制作方法，其特征在于，该薄膜是为二维单质层，该二维材料元素是选自由碳、锗、硅、锡、镓、磷、硒、碲所组成的群组。

8.如权利要求1所述的二维材料的制作方法，其特征在于，该薄膜是为包含至少一第十三行元素与至少一第十五行元素或第十六行元素作为该二维材料元素的二维异质层，所述第十三行元素是选自由硼、铝、镓、铟所组成的群组，且所述第十五行元素是选自由氮、磷所组成的群组，第十六行元素是选自由硫、硒、碲所组成的群组。

9.如权利要求1所述的二维材料的制作方法，其特征在于，于该薄膜形成步骤中，是以物理气相沉积形成该薄膜。

10.如权利要求9所述的二维材料的制作方法，其特征在于，所述物理气相沉积是于具有该二维材料元素的至少一靶材进行溅镀或蒸镀。

11.如权利要求1所述的二维材料的制作方法，其特征在于，该薄膜的沉积厚度范围为0.5nm至10μm。

12.如权利要求1所述的二维材料的制作方法，其特征在于，该包覆层的厚度范围为5nm至10μm。

13.如权利要求1所述的二维材料的制作方法，其特征在于，该包覆层形成步骤包含：

于该薄膜上蒸镀形成一第一包覆层；以及

于该第一包覆层上以电浆辅助化学气相沈积形成一第二包覆层；

其中，该第二包覆层的密度高于该第一包覆层。

14.如权利要求13所述的二维材料的制作方法，其特征在于，该第一包覆层及该第二包覆层是选自由二氧化硅、氮化硅、氧化硅、氮化硅、硅、锗、氧化铝、二氧化铪、二氧化锆、二氧化钛、五氧化二钽、氧化锌、氧化铟镓锌所组成的群组。

15.如权利要求1所述的二维材料的制作方法，其特征在于，该退火温度范围为300℃至1200℃。