[发明专利]一种超高密度随机存储器架构在审
| 申请号： | 201710302215.2 | 申请日： | 2017-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN108807452A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 肖荣福;郭一民;陈峻 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体区域 随机存储器 掺杂类型 存储单元 邻接 架构 垂直叠加 矩阵列 绝缘物 氧化物 隔开 漏极 排布 源极 垂直 | ||
1.一种超高密度随机存储器架构，其特征在于包括：以矩阵列方式排布布置的多个存储单元；其中，每个存储单元包括：以垂直叠加的形式生成的第一半导体区域、第二半导体区域和第三半导体区域，其中第一半导体区域和第三半导体区域具有第一掺杂类型，第二半导体区域具有第二掺杂类型；在第三半导体区域正上方邻接地形成有漏极，在第一半导体区域正下方邻接地形成有源极，在第二半导体区域垂直两侧形成有两个栅极，其中栅极与第二半导体区域经由氧化物绝缘物隔开。
2.如权利要求1所述的超高密度随机存储器架构，其特征在于，第一掺杂类型为n+型掺杂类型，第二掺杂类型为p型掺杂类型；或者第一掺杂类型为p+型掺杂类型，第二掺杂类型为n型掺杂类型。
3.如权利要求1或2所述的超高密度随机存储器架构，其特征在于，第一半导体区域和第三半导体区域的掺杂浓度大于第二半导体区域的掺杂浓度。
4.如权利要求1或2所述的超高密度随机存储器架构，其特征在于，所有存储单元的源极通过衬底接地。
5.如权利要求1或2所述的超高密度随机存储器架构，其特征在于，存储单元的源极经由氧化物绝缘层与衬底隔离；而且，各个存储单元的源极经由各自的源线引出。
6.如权利要求1或2所述的超高密度随机存储器架构，其特征在于，各个漏极分别与一个存储器单元相连接，然后再与一条位线相连接。
7.如权利要求1或2所述的超高密度随机存储器架构，其特征在于，每个存储单元上的记忆信息是通过开启各自的栅极和流经相对应的漏源之间的写电流来写入的。
8.如权利要求1或2所述的超高密度随机存储器架构，其特征在于，每个存储单元上的记忆信息是通过开启栅极和流经漏源之间的读电流来读取的,并且读电流小于写电流的绝对值。
9.如权利要求1或2所述的超高密度随机存储器架构，其特征在于，每个栅极可以同时控制相邻两侧与漏极或源极连接的存储单元中的写电流和读电流。
10.如权利要求1或2所述的超高密度随机存储器架构，其特征在于，每组源漏极可以通过两侧的两个栅极来分别或同时控制连接在漏极或源极上的存储单元中的写电流和读电流。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
