[发明专利]有机发光二极管组件及其制备方法、显示面板和电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光二极管显示领域，特别是涉及一种有机发光二极管组件及其制备方法、显示面板和电子设备。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diodes，OLED)作为新一代平板显示器件，具有自发光、广视角、对比度高、反应速度快、耗电低等优势，有望成为下一代主流平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。本申请的发明人在长期的研发中发现，现有技术中OLED器件还存在色域低、稳定性差、寿命短等问题。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种有机发光二极管组件及其制备方法、显示面板和电子设备，能够提高OLED器件的色域、稳定性，延长OLED器件的使用寿命。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种有机发光二极管组件，该有机发光二极管组件包括：依序设置的阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，其中，阳极层为高功率函数的金属层；电子传输层包括量子点材料。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种有机发光二极管显示面板，该显示面板包括上述有机发光二极管组件。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种电子设备，该电子设备包括控制器和上述有机发光二极管显示面板，其中，控制器耦接上述有机发光二极管显示面板。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种有机发光二极管组件的制备方法，该方法包括：在基板上形成阴极层；在阴极层与发光层之间形成包括量子点材料的电子传输层；形成发光层；在发光层与阳极层之间形成空穴传输层；形成高功率函数的金属层作为阳极层。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明提供一种有机发光二极管组件，该有机发光二极管组件选用高功率函数的金属层作为阳极层，这些高功率函数的金属化学活泼性较低，能够提高电极的稳定性，进而延长OLED器件的使用寿命。另外，该有机发光二极管组件的电子传输层掺杂有量子点材料，量子点发光材料的发光光谱集中，色纯度高，能够提高OLED显示器的色域。

附图说明

图1是本发明有机发光二极管组件一实施方式的结构示意图；

图2是本发明有机发光二极管显示面板一实施方式的结构示意图；

图3是本发明电子设备一实施方式的结构示意图；

图4是本发明有机发光二极管组件的制备方法一实施方式的流程示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。

请参阅图1，图1是本发明有机发光二极管组件一实施方式的结构示意图。该实施方式中有机发光二极管组件包括依序设置的阳极层105、空穴传输层104、发光层103、电子传输层102和阴极层101；其中，阳极层105为高功率函数的金属层；电子传输层102包括量子点材料。

OLED显示器的驱动方式分为无源驱动(Passive Matrix Driving，PM-OLED)与有源驱动(Active Matrix Driving，AM-OLED)；有源驱动又分为非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)技术和低温多晶硅(Low temperature poly-Si TFT，LTPS TFT)技术；TFT又分为P型TFT和n型TFT，其中，P型TFT通过漏电极向OLED器件提供空穴，与OLED的阳极相连，n型TFT通过漏电极向OLED器件提供电子，与OLED的阴极相连。

在有源驱动中，控制OLED的TFT通常制作于阳极一侧，这就要求TFT必须是p型，但是制作工艺简单成熟的a-Si TFT由于a-Si中载流子迁移率很低，且其空穴迁移率比电子迁移率低很多，因此a-Si TFT只能制备成n型TFT，进而限制了a-Si TFT在OLED器件中的应用。若想选用n型TFT控制OLED，为了保证其工作在饱和区，必须将OLED器件接到n型TFT的漏极，即将OLED器件的阴极与n型TFT的漏极相接，也就是说OLED器件具有底电极为阴极的倒置结构。采用倒置型OLED器件结构能够使性能优越的n型TFT应用于AMOLED像素电路，增加了AMOLED驱动电路设计的选择、且降低成本。倒置结构的OLED器件可以制作成顶部出光的顶发射器件和底部出光的底发射器件。