[发明专利]顶发射有机发光二极管及制造方法在审
申请号: | 201710302069.3 | 申请日: | 2017-05-02 |
公开(公告)号: | CN106992257A | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 史婷 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 518006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 有机 发光二极管 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种顶发射有机发光二极管及制造方法。
背景技术
有机发光二极体(Organic Light Emitting Diode,OLED)因其高亮度、自发光、响应快及低驱动电压等优点,已成为显示领域的新兴技术。按照光出射方向的不同,OLED器件可以分为两种结构,底发射和顶发射OLED器件。有源驱动有机发光器件(AM-OLED)是未来制备大尺寸、高清晰度有机显示设备的研发重点之一,它要求OLEDs器件要与薄膜晶体管(TFT)配合使用。底发射器件由于底部的驱动电路,只能从设置的开口处发光,开口率较低。随着解析度增加,开口率会降至更低,因此底发射结构无法满足未来高解析度显示的要求。
发明内容
本发明提供一种顶发射有机发光二极管及制造方法,能够有效提高顶发射有机发光二极管阴极透射率,调制多波长光的耦合输出。
为解决上述技术问题,本发明采用的一种技术方案是:提供一种顶发射有机发光二极管,包括:衬底基板;层叠结构,所述层叠结构设置于所述衬底基板上;阴极层,所述阴极层覆盖所述层叠结构;光散射层,所述光散射层由纳米颗粒组成,且所述光散射层具有凹凸结构。
为解决上述技术问题,本发明采用的另一种技术方案是:提供一种一种顶发射有机发光二极管的制造方法,所述方法包括:在衬底基板上依次制备一层叠结构及阴极层;在所述阴极层上制备纳米颗粒层,以形成具有凹凸结构的光散射层;封装以形成顶发射有机发光二极管。
本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况,本发明通过在阴极层上制备高折射率的纳米颗粒以形成散射层,能够有效提高顶发射有机发光二极管阴极透射率,调制多波长光的耦合输出。
附图说明
图1为本发明顶发射有机发光二极管一实施方式的结构示意图;
图2为本发明顶发射有机发光二极管另一实施方式的结构示意图;
图3为本发明顶发射有机发光二极管制造方法一实施方式的流程示意图;
图4为图3中步骤S2一实施方式的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请一并参阅图1及图2,图1为本发明顶发射有机发光二极管一实施方式的结构示意图,图2为本发明顶发射有机发光二极管另一实施方式的结构示意图,如图1所示,该顶发射有机发光二极管10包括:衬底基板11、层叠结构12、阴极层13以及光散射层14。
其中,衬底基板11可以为透明材质,具体可以是玻璃、陶瓷基板或者透明塑料等任意形式的基板,此处本发明不做具体限定。
参阅图2,层叠结构12,该层叠结构12包括依次沉积于衬底基板11上的阳极层121、空穴注入层122、空穴传输层123、有机发光层124以及电子传输层125。在本发明一应用场景中,该层叠结构12中的阳极层121的可以选用Ag,在其它实施例中,也可以选用性质稳定且透光的ITO透明导电膜。空穴注入层122的材料可以为聚(34-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrenesulfonate),PEDOT/PSS),且该空穴注入层122的厚度可以为30nm。空穴传输层123的材料可以为聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺];4-丁基-N,N-二苯基苯胺均聚物;苯胺,4-丁基-N,N-二苯基-,均聚合物(Poly(N,N′-bis(4-butylphenyl)-N,N′-bis(phenyl)-benzidine),Poly-TPD),厚度可以为20nm。有机发光层124的材料可以为聚((9,9-二-n-辛基芴基-2,7-二基)Poly(9,9-di-n-octylfluorenyl-2,7-diyl),PFO),厚度可以为30nm。电子传输层125的材料可以为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(1,3,5-Tris(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl)benzene,TPBi),厚度可以为30nm。
当然,在其它实施例中,该层叠结构12中的阳极层121、空穴注入层122、空穴传输层123、有机发光层124以及电子传输层125也可以采用其他厚度不同的材料,此处本发明不做具体限定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择