[发明专利]金属氧化物TFT器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201710302060.2 | 申请日： | 2017-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN107104150A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 翟玉浩 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 tft 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种金属氧化物TFT器件，其特征在于，包括基板(1)、设在所述基板(1)上的栅极(3)、覆盖所述栅极(3)与基板(1)的栅极绝缘层(5)、于所述栅极(3)上方设在所述栅极绝缘层(5)上的有源层(7)、及设在所述栅极绝缘层(5)上分别接触所述有源层(7)两侧的源极(91)与漏极(92)；
所述有源层(7)包括下层铟镓锌氧化物薄膜(71)、与所述下层铟镓锌氧化物薄膜(71)相对设置的上层铟镓锌氧化物薄膜(73)、及夹设在所述下层铟镓锌氧化物薄膜(71)与上层铟镓锌氧化物薄膜(73)之间的中间导电层(75)；所述中间导电层(75)的材料为高含铟金属氧化物、或高含锌金属氧化物。
2.如权利要求1所述的金属氧化物TFT器件，其特征在于，所述中间导电层(75)的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、掺铝氧化锌中的一种。
3.如权利要求1所述的金属氧化物TFT器件，其特征在于，所述中间导电层(75)的厚度为2nm～10nm，所述有源层(7)的厚度为30nm～100nm。
4.如权利要求3所述的金属氧化物TFT器件，其特征在于，所述中间导电层(75)的方块电阻≥1x104Ω/□。
5.如权利要求1所述的金属氧化物TFT器件，其特征在于，
所述基板(1)为玻璃基板；
所述栅极(3)、源极(91)、与漏极(92)的材料均为钼、铝中的一种、或钼与铝的堆栈组合；
所述栅极绝缘层(5)的材料为氧化硅、或氧化铝。
6.一种金属氧化物TFT器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供基板(1)，在所述基板(1)上沉积第一金属层并对第一金属层进行图案化处理，得到栅极(3)；
在所述栅极(3)与基板(1)上沉积栅极绝缘层(5)；
在所述栅极绝缘层(5)上先沉积铟镓锌氧化物形成下层铟镓锌氧化物薄膜(71)，再沉积高含铟金属氧化物或高含锌金属氧化物形成中间导电层(75)，接着沉积铟镓锌氧化物形成上层铟镓锌氧化物薄膜(73)；
对层叠的下层铟镓锌氧化物薄膜(71)、中间导电层(75)、与上层铟镓锌氧化物薄膜(73)进行图案化处理，形成位于所述栅极(3)上方的有源层(7)；
在所述栅极绝缘层(5)及有源层(7)上沉积第二金属层并对第二金属层进行图案化处理，得到分别接触所述有源层(7)两侧的源极(91)与漏极(92)。
7.如权利要求6所述的金属氧化物TFT器件的制作方法，其特征在于，通过沉积氧化铟锡、氧化铟锌、掺铝氧化锌中的一种形成中间导电层(75)。
8.如权利要求6所述的金属氧化物TFT器件的制作方法，其特征在于，所述中间导电层(75)的厚度为2nm～10nm，所述有源层(7)的厚度为30nm～100nm。
9.如权利要求8所述的金属氧化物TFT器件的制作方法，其特征在于，所述中间导电层(75)的方块电阻≥1x104Ω/□。
10.如权利要求6所述的金属氧化物TFT器件的制作方法，其特征在于，
所述基板(1)为玻璃基板；
所述第一金属层、与第二金属层的材料均为钼、铝中的一种、或钼与铝的堆栈组合；
所述栅极绝缘层(5)的材料为氧化硅、或氧化铝。
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