[发明专利]检测装置、工艺系统和检测方法有效
| 申请号: | 201710301590.5 | 申请日: | 2017-05-02 |
| 公开(公告)号: | CN107421916B | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
| 发明(设计)人: | 王学勇;周连猛;冯长海;王治 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | G01N21/59 | 分类号: | G01N21/59 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陈源 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 检测 装置 工艺 系统 方法 | ||
本发明公开了一种检测装置、工艺系统和检测方法。该检测装置包括箱体和灰化检测装置,所述箱体的入光侧上设置有开口,所述开口上设置有窗体,所述箱体的出光侧上设置有狭缝;所述窗体用于将入射的照射光透射至所述狭缝;所述狭缝用于将所述照射光透射至位于所述箱体出光侧外部的目标基板上;所述灰化检测装置用于检测所述目标基板是否发生灰化。本发明提供的检测装置、工艺系统和检测方法的技术方案中,灰化检测装置可检测目标基板是否发生灰化,当灰化检测装置检测出目标基板发生灰化时可立即停止照射光照射到目标基板上,从而避免了灰化产生的颗粒污染设备。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种检测装置、工艺系统和检测方法。
背景技术
准分子激光退火(Excimer laser annealing,简称ELA)工艺是低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon,简称LTPS)工艺的重要组成部分。目前,该ELA工艺同样应用于柔性显示工艺中。目前的柔性显示工艺中,首先在玻璃衬底上涂布一层聚酰亚胺(PolyimideFilm,简称PI)膜层,然后在PI膜上沉积a-si膜层,之后利用ELA设备对a-si薄膜进行晶化。
通常a-si膜层会出现厚度偏薄或者厚度不均匀的情况,那么在ELA工艺中部分a-si膜层容易出现退火过度的情况,此处位于该部分a-si膜层下方的PI膜层难以承受高能量激光照射,会出现薄膜灰化的情况,当出现薄膜灰化的情况时会伴有大量的颗粒(particle)产生,颗粒会产生飞溅,从而造成设备严重污染,尤其是退火窗(annealingwindow)污染报废。
发明内容
本发明提供一种检测装置、工艺系统和检测方法,用于避免了灰化产生的颗粒污染设备。
为实现上述目的,本发明提供了一种检测装置,包括箱体和灰化检测装置,所述箱体的入光侧上设置有开口,所述开口上设置有窗体,所述箱体的出光侧上设置有狭缝;
所述窗体用于将入射的照射光透射至所述狭缝;
所述狭缝用于将所述照射光透射至位于所述箱体出光侧外部的目标基板上;
所述灰化检测装置用于检测所述目标基板是否发生灰化。
可选地,所述灰化检测装置包括气体洁净度检测装置和/或空气透过率检测装置;
所述气体洁净度检测装置用于检测出气体洁净度以判断目标基板上是否发生灰化;
所述空气透过率检测装置用于检测出空气透过率以判断目标基板上是否发生灰化。
可选地,所述气体洁净度检测装置包括气体采样管路,所述气体采样管路的一端设置于所述箱体上。
可选地,所述气体采样管路设置于所述箱体出光侧上狭缝之外的位置。
可选地,所述空气透过率检测装置包括对射型光电传感器。
可选地,所述对射型光电传感器设置于所述箱体出光侧上狭缝之外的位置。
可选地,所述对射型光电传感器包括发射端和接收端,所述发射端和所述接收端分别位于所述箱体出光侧的两端,所述发射端和所述接收端之间的连线与所述狭缝不交叉。
为实现上述目的,本发明提供了一种工艺系统,包括发射装置、目标基板和上述检测装置,所述发射装置位于所述箱体的入光侧的外部,所述目标基板位于所述箱体的出光侧的外部;
所述发射装置用于向所述窗体发射照射光。
为实现上述目的,本发明提供了一种检测方法,所述检测方法基于检测装置,所述检测装置包括箱体和灰化检测装置,所述箱体的入光侧上设置有开口,所述开口上设置有窗体,所述箱体的出光侧上设置有狭缝;
所述方法包括:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710301590.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





