[发明专利]一种太阳能电池片的质量检测方法及其检测装置有效

专利信息
申请号: 201710300938.9 申请日: 2017-05-02
公开(公告)号: CN106990120B 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 苏亚;姚晓天;刘会清 申请(专利权)人: 河北大学;苏州光环科技有限公司
主分类号: G01N21/958 分类号: G01N21/958;H02S50/15
代理公司: 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 代理人: 苏艳肃
地址: 071002 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能电池 质量 检测 方法 及其 装置
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池片的质量检测方法,其特征在于,包括以下步骤:

①利用检测装置对待测电池片进行扫描,得到电池片的OCT三维图像;其中,所述电池片为晶硅太阳能电池片,所述检测装置包括OCT测量探头、OCT集成系统以及计算机;

所述OCT测量探头与OCT集成系统相连,OCT测量探头包含自聚焦扫描透镜并采用硅片不能吸收的近红外光源,OCT测量探头用于对电池片进行激光扫描;

所述OCT集成系统分别与OCT测量探头和计算机相连,用于采集经由OCT测量探头传入的电池片的后散射光,并将得到的干涉光信号转换为电信号传输至计算机;

所述计算机用于对输入的电信号进行处理得到电池片的扫描图像,并对图像进行处理得到电池片的质量参数信息;

②对所得OCT三维图像进行观察或处理得到电池片的质量参数:

(a)获得电池片的缺陷、杂质参数:观察OCT三维图像,纯净的晶体硅在图像中是透明的,但缺陷和杂质会引起散射或吸收而呈现为亮斑或亮线,通过直接观察获得电池片的缺陷、杂质参数;

(b)获得电池片的厚度、曲翘度及电池栅极参数:由OCT三维图像观察电池片的上下表面结构,直接得到电池片表面蒸镀和断栅情况;

通过边界微分算子得到硅片的上下表面位置,并根据像素得到硅片在OCT三维图像上的高度值h1,再由硅片在红外波段的折射率n得到硅片的厚度h=h1/n,根据硅片的厚度并通过比例尺得到相邻两条栅线电极的间距以及每条栅线电极的宽度和高度;

根据硅片的上下表面位置得其中心面位置,然后根据像素求得沿水平方向不同区域中心面间的最大垂直距离即为电池片的曲翘度;

(c)获得电池片陷光能力参数:将电池片的OCT三维图像沿深度方向进行平均,得到纵向的一维平均光强值,用电池片上表面的光强值来表征电池片的陷光能力,电池片上表面的光强值与电池片的陷光能力成反比。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池片的质量检测方法,其特征在于,所述获得电池片的缺陷参数包括获得电池片的表面和内部隐裂情况信息。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池片的质量检测方法,其特征在于,在检测电池片陷光能力时,对原硅片、制绒片、扩散片和蒸镀减反射膜后的晶片进行检测,得到不同工艺阶段的电池片的陷光能力。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池片的质量检测方法,其特征在于,所述检测装置安装于电池片生产线上,对电池片质量进行在线实时检测。

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