[发明专利]读出放大器和使用读出放大器的存储器设备

说明书

提出了一种单端读出放大器以及包括该单端读出放大器的存储器设备。读出和放大存储单元的数据的读出放大器可以包括：预充电电路，采用电源电压来对连接到存储单元并且提供读出电压的数据线以及提供参考电压的参考线进行预充电；参考电压生成电路，通过基于参考电流对参考线放电来生成参考电压，并且基于存储单元的数据来调整参考电流的量；以及比较器，比较读出电压和参考电压并且输出比较结果作为存储单元的数据。

对相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年5月2日向韩国知识产权局提交的第10-2016-0054100号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本发明构思涉及一种存储器设备，并且更具体地，涉及一种单端读出放大器和使用该单端读出放大器的存储器设备。

背景技术

半导体存储器设备分为易失性半导体存储器设备和非易失性半导体存储器设备。易失性半导体存储器设备包括动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)。非易失性半导体存储器设备包括电阻式存储器设备，诸如闪速存储器设备、电阻式随机存取存储器(ReRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)和磁阻式随机存取存储器(MRAM)。读出放大器读出和放大存储在存储器设备的存储单元中的低水平(low level)的数字数据，即，弱数字数据，并且将弱数字数据转换为高水平(high level)的数字数据。单端读出放大器将输入到两个输入端子中的一个端子的位线的电压(即，读出电压)与经由另一端子接收的参考电压进行比较，并且输出比较结果作为存储单元的数据。

读出放大器和使用该读出放大器的存储器设备可以在读取操作期间执行低电压驱动操作。

发明内容

本发明构思提供了一种读出放大器和存储器设备。

根据本发明构思的方面，一种读出和放大存储单元的数据的读出放大器可以包括：预充电电路，采用电源电压来对连接到存储单元并且提供读出电压的数据线以及提供参考电压的参考线进行预充电；参考电压生成电路，通过基于参考电流对参考线放电来生成参考电压，并且基于存储单元的数据来调整参考电流的量；以及比较器，比较读出电压和参考电压并且输出比较结果作为存储单元的数据。

根据本发明构思的其它方面，一种存储器设备可以包括：存储单元阵列，选择性地连接到数据线并且包括多个存储单元，该多个存储单元在读取操作期间根据所存储的数据从数据线放电单元电流；负载晶体管，连接到伪(pseudo)数据线并且从伪数据线放电与单元电流的量相等量的电流；以及读出放大器，基于从伪数据线输出的伪读出电压生成参考电压，将从数据线输出的读出电压与参考电压进行比较以及输出比较结果作为存储数据。

附图说明

从下面结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本发明构思的实施例，在附图中：

图1是根据示例实施例的存储器设备的框图；

图2是根据示例实施例的读出放大器的框图；

图3是图2的读出放大器的详细电路图；

图4是示出根据示例实施例的偏置电路的电路图；

图5是根据示例实施例的存储器设备的电路图；

图6是示出根据传统示例的读出放大器的波形的时序图；

图7是示出根据示例实施例的读出放大器的波形的时序图；

图8是根据示例实施例的存储器设备的电路图；

图9是根据示例实施例的存储器设备的电路图；

图10是示出根据示例实施例的存储器块的实施示例的电路图；

图11是根据图10的电路图的存储器块的透视图；