[发明专利]一种数字低压差稳压器及其控制方法有效

专利信息
申请号: 201710297513.7 申请日: 2017-04-28
公开(公告)号: CN106933289B 公开(公告)日: 2018-09-11
发明(设计)人: 冯雪欢;徐攀;李永谦;吴仲远 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 数字 低压 稳压器 及其 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种数字低压差稳压器,其特征在于,包括:电压比较器、计数器、解码器、PMOSFET阵列以及除法器;

所述电压比较器的输出端连接所述计数器的第一输入端,所述计数器的输出端连接所述解码器的输入端,所述解码器的输出端连接所述PMOSFET阵列的输入端,所述PMOSFET阵列的输出端分别连接所述电压比较器的正向输入端以及所述除法器的第一输入端,所述除法器的输出端连接所述计数器的第二输入端,所述电压比较器的负向输入端接收参考电压;

所述电压比较器用于通过所述正向输入端接收所述PMOSFET阵列输出的实际电压,通过负向输入端接收参考电压,比较所述实际电压和所述参考电压获取电平信号,并将所述电平信号发送至所述计数器;

所述除法器用于根据为所述PMOSFET阵列预配置的输出电压以及至少两个时钟周期内所述PMOSFET阵列输出的实际电压进行计算,得出第一数值并将所述第一数值发送至所述计数器,其中所述第一数值对应所述解码器对所述PMOSFET阵列中PMOSFET控制的数量;

所述计数器用于根据所述电平信号以及所述第一数值生成控制信号,并将所述控制信号发送至所述解码器;

所述解码器用于接收所述计数器发送的控制信号并根据所述控制信号控制所述PMOSFET阵列中晶体管的导通数目。

2.根据权利要求1所述的数字低压差稳压器,其特征在于,

所述除法器具体用于根据公式计算所述N的值;其中,V0为所述PMOSFET阵列预配置的输出电压;VX为至少两个周期内,每相邻两个周期之间所述PMOSFET阵列输出的实际电压的变化值的平均值。

3.根据权利要求2所述的数字低压差稳压器,其特征在于,所述除法器还用于将所述N的值通过四舍五入取得整数C,并通过进制转换将所述C的值转换为所述第一数值并发送至所述计数器,其中所述进制转换为将十进制数转换为二进制数。

4.根据权利要求1所述的数字低压差稳压器,其特征在于,

所述计数器的第三输入端连接第一时钟信号端,所述除法器的第二输入端连接第二时钟信号端;

所述计数器还用于根据所述第一时钟信号端获取时钟周期;

所述除法器还用于存储所述PMOSFET阵列预配置的输出电压,所述除法器还用于根据所述第二时钟信号端的时钟信号获取所述时钟周期。

5.根据权利要求1-4任一项所述的数字低压差稳压器,其特征在于,还包括:反馈电阻网络,所述反馈电阻网络的第一端连接所述PMOSFET阵列的输出端,所述反馈电阻网络的第二端接地;

所述反馈电阻网络用于对所述PMOSFET阵列的输出端输出的电流进行分流。

6.一种数字低压差稳压器的控制方法,用于控制权利要求1-5任一项所述的数字低压差稳压器,其特征在于,所述方法包括:

接收参考电压以及PMOSFET阵列输出的目标电压,比较所述目标电压和所述参考电压获取电平信号;

根据为所述PMOSFET阵列预配置的输出电压以及至少两个时钟周期内所述PMOSFET阵列输出的实际电压进行计算,得出第一数值,所述第一数值对应所述PMOSFET阵列中PMOSFET控制的数量;

根据所述电平信号以及所述第一数值生成控制信号;

根据所述控制信号控制所述PMOSFET阵列中晶体管的导通数目。

7.根据权利要求6所述的数字低压差稳压器的控制方法,其特征在于,根据为所述PMOSFET阵列预配置的输出电压以及至少两个时钟周期内所述PMOSFET阵列输出的实际电压进行计算,包括:

根据公式计算所述N的值;其中,V0为所述PMOSFET阵列预配置的输出电压;VX为至少两个周期内,每相邻两个周期之间所述PMOSFET阵列输出的实际电压的变化值的平均值。

8.根据权利要求7所述的数字低压差稳压器的控制方法,其特征在于,所述得出第一数值包括:

将所述N的值通过四舍五入取得整数C,通过进制转换将所述C的值转换为所述第一数值,其中所述进制转换为将十进制数转换为二进制数。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710297513.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top