[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201710297455.8 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN106876480B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 张斌;詹裕程;孙雪菲;周婷婷 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于微棱镜阵列基板的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，有源层包括成行依次排列的第一子单元、第二子单元和第三子单元，其中，所述第二子单元中低温多晶硅的晶粒尺寸小于所述第一子单元和所述第三子单元中低温多晶硅的晶粒尺寸，所述多个子单元中低温多晶硅的晶粒尺寸不大于600nm。
2.一种微棱镜阵列基板，其特征在于，包括权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管。
3.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求2所述的微棱镜阵列基板。
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