[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，设置有包括光电转换功能的光接收元件，

其中所述光接收元件包括：

绝缘膜，包括第一表面和与所述第一表面相交的第二表面，

第一导电类型的第一半导体层，与所述绝缘膜的所述第一表面接触，

本征半导体层，形成在所述第一半导体层之上，与所述绝缘膜的所述第一表面和所述第二表面接触，

第二导电类型的第二半导体层，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述第二半导体层形成在所述本征半导体层之上并且与所述绝缘膜的所述第二表面接触，以及

盖层，形成在所述第二半导体层之上并且与所述绝缘膜的所述第二表面接触，

其中所述半导体器件包括：

半导体层，形成在所述绝缘膜下方；

第一开口部分，穿透所述绝缘膜；以及

第二开口部分，形成在所述半导体层中，与所述第一开口部分连通，

其中所述第一半导体层与从所述第二开口部分的内壁表面暴露的所述半导体层以及从所述第二开口部分暴露的所述绝缘膜的下表面接触，所述绝缘膜的所述下表面是所述绝缘膜的所述第一表面，并且

其中所述第二半导体层与所述第一开口部分的内壁表面接触，所述第一开口部分的所述内壁表面是所述绝缘膜的所述第二表面。

2.根据权利要求1所述的器件，

其中所述半导体层是光波导层。

3.根据权利要求2所述的器件，

其中所述半导体层的带隙大于所述第一半导体层、所述本征半导体层和所述第二半导体层中的任一层的带隙。

4.根据权利要求1所述的器件，

其中所述第二半导体层的高度低于所述绝缘膜的上表面。

5.根据权利要求1所述的器件，

其中所述绝缘膜的所述第一表面是所述绝缘膜的所述下表面，并且

其中所述绝缘膜的所述第二表面是所述第一开口部分的所述内壁表面。

6.根据权利要求5所述的器件，

其中所述第二开口部分的所述内壁表面具有圆形的形状。

7.根据权利要求5所述的器件，

其中所述第二半导体层的高度低于所述绝缘膜的上表面。

8.根据权利要求1所述的器件，

其中所述半导体器件包括位于所述光接收元件下方的半导体层，

其中所述半导体层由硅层形成，

其中所述第一半导体层由第一锗层形成，

其中所述本征半导体层由本征锗层形成，并且

其中所述第二半导体层由第二锗层形成。

9.根据权利要求1所述的器件，

其中所述光接收元件被设计为能够接收所述光接收元件之上的光。

10.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)图案化半导体层；

(b)形成覆盖图案化的所述半导体层的绝缘膜，所述绝缘膜包括第一表面和与所述第一表面相交的第二表面；

(c)在所述半导体层中形成第二开口部分，以及形成穿透所述绝缘膜并与所述第二开口部分连通的第一开口部分；

(d)在从所述第二开口部分暴露的所述半导体层上形成第一导电类型的第一半导体层；

(e)在所述第一半导体层上形成本征半导体层；

(f)在所述本征半导体层之上形成第二导电类型的第二半导体层；以及

(g)在所述第二半导体层上形成盖层，所述盖层与所述绝缘膜的所述第二表面接触，所述绝缘膜的所述第二表面是所述第一开口部分的内壁表面，

其中所述第一半导体层与从所述第二开口部分的内壁表面暴露的所述半导体层以及从所述第二开口部分暴露的所述绝缘膜的下表面接触，所述绝缘膜的所述下表面是所述绝缘膜的所述第一表面，并且

其中所述第二半导体层与所述第一开口部分的内壁表面接触。