[发明专利]一种二维层状MXene材料的制备方法在审
申请号: | 201710296030.5 | 申请日: | 2017-04-28 |
公开(公告)号: | CN107098344A | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 周卫兵;刘磊;朱远方;朱教群;李儒光;张弘光;李康 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C01B32/921 | 分类号: | C01B32/921 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人: | 邬丽明 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二维 层状 mxene 材料 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及二维层状MXene材料的制备领域,尤其涉及利用MgF2与HCl复合刻蚀MAX相制备二维层状MXene的方法。
背景技术
MXene材料中M是早期过渡金属元素,X是C、N或CN元素,又因与石墨烯(Graphene)具有类似结构,所以将这类材料统称为MXene。这类材料最早是通过氢氟酸刻蚀母相三元层状材料Mn+1AXn(A主要是Ⅲ和Ⅳ主族元素,n=1、2或3)中的A层所发现并命名。MXene材料有良好的稳定性、磁性、亲水性,在电学、光学、力学等方面的性能也非常出色,可应用于电容器、锂电池、催化剂、润滑剂等领域。
目前MXene合成工艺中刻蚀剂主要采用HF,但HF危险性高,难存放。在已有的刻蚀剂中NH4HF2、LiF/HCl这两种溶剂也存在一定的弊端,NH4HF2毒性大,在热水中易分解出毒氟化物、氮氧化物和氨气体,对实验合成条件极为苛刻,LiF/HCl复合溶剂作蚀刻剂,合成过程虽温和、对环境污染较小,但其刻蚀效率不高,这些刻蚀手段均不利于MXene的合成和生产。
鉴于目前市场需要,亟需一种操作安全性好,刻蚀效率较高的关于二维层状结构的MXene材料的制备方法。。
发明内容
基于以上现有技术的不足,本发明所解决的技术问题在于提供一种操作安全性好,刻蚀效率较高的关于二维层状结构的MXene材料的制备方法。
为了解决上述技术问题,本发明提供一种二维层状MXene材料的制备方法,包含如下步骤:
步骤一、将MgF2粉末与浓度为4~12mol/L的HCl溶液按照2.37g:30mL比例混合并搅拌至MgF2完全溶解,得到刻蚀剂;
步骤二、将MAX原料缓慢加入步骤一所得的刻蚀剂中,并在40~80℃下保温45~135h,其中MAX原料与所述刻蚀剂的比例为2g:30mL;
步骤三、将步骤二所得产物用去离子水离心洗净至上层溶液PH=6,取沉淀物室温下超声分散1小时,然后烘干。
MAX原料是一种备受关注的新型可加工陶瓷材料,目前发现的MAX材料包括七十几种,构成一个庞大的体系。
作为上述技术方案的优选实施方式,本发明实施例提供的二维层状MXene材料的制备方法进一步包括下列技术特征的部分或全部:
作为上述技术方案的改进,在本发明的一个实施例中,所述步骤一中HCl溶液的优选浓度为6~8mol/L。
作为上述技术方案的改进,在本发明的一个实施例中,步骤二中所述MAX原料为研磨过筛的Ti2AlC。
作为上述技术方案的改进,在本发明的一个实施例中,步骤二中所述MAX原料为研磨过500目筛的Ti2AlC。
作为上述技术方案的改进,在本发明的一个实施例中,所述步骤三中,所述烘干过程为放置在80℃烘箱中干燥48h。
本发明利用一定浓度的MgF2与HCl混合溶液刻蚀Ti2AlC,溶液中的F-与分子间作用力较脆弱的Al层发生反应,同时与Mg2+共同构成新的生成物。Ti2AlC失去Al层后,成为MXene材料Ti2C,由于水溶液中存在的-F、-OH、-H等基团迅速围绕在单层或少层的Ti2C表面,形成Ti2CTx(T为-F、-OH、-H等基团)。
与现有技术相比,本发明的技术方案具有如下有益效果:本发明制备方法简单,反应过程更为温和,环境友好,无需插层,仅通过超声处理就能实现大规模剥离,获得单层二维MXene。并且电化学性能明显优于HF合成的MXene,工艺流程更简单;不像NH4HF2法那般易分解有毒氟化物、氮氧化物和氨气体,对实验条件要求苛刻;也比HCl/LiF法所制得的MXene纯度高,刻蚀效率大。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂,以下结合优选实施例,详细说明如下。
附图说明
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