[发明专利]具有屏蔽MEMS装置的集成电路及用于制造屏蔽MEMS装置的方法有效

专利信息
申请号: 201710295681.2 申请日: 2017-04-28
公开(公告)号: CN107416757B 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: H·坎帕内拉-皮内达;R·库马尔;Z·斯比阿;N·兰加纳坦;R·P·耶勒汉卡 申请(专利权)人: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81B7/02
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 新加坡,*** 国省代码: 新加坡;SG
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摘要:
搜索关键词: 具有 屏蔽 mems 装置 集成电路 用于 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种具有屏蔽微机电系统装置的集成电路,其包含:

基板;

接地平面,其在该基板上方包括导电材料;

介电层,其在该接地平面上方;

微机电系统装置,其在该接地平面上方;

第一导电柱,其穿过该介电层且与该接地平面接触;

第二导电柱,其穿过该介电层且与该接地平面接触,其中,该微机电系统装置位于该第一导电柱与该第二导电柱之间;

金属屏蔽层,其在该微机电系统装置上方且与该第一导电柱及该第二导电柱接触,其中该金属屏蔽层、该第一导电柱、该第二导电柱及该接地平面形成包围该微机电系统装置的电磁屏蔽结构;以及

声学屏蔽结构,其在该基板上方且毗邻该电磁屏蔽结构。

2.如权利要求1所述的集成电路,其中:

该微机电系统装置有脚印,

各导电柱在该微机电系统装置的该脚印外面;

该集成电路更包含微机电系统装置层,该微机电系统装置层在该基板上方且包括形成该微机电系统装置的一部分的第一部分与在该微机电系统装置的该脚印外面的第二部分;以及

该金属屏蔽层的一部分延伸穿过在该脚印外面的该微机电系统装置层。

3.如权利要求1所述的集成电路,其中,下空腔隔开该微机电系统装置与该接地平面,以及上空腔隔开该微机电系统装置与该金属屏蔽层。

4.如权利要求1所述的集成电路,更包含上覆微机电系统装置的介电屏蔽层,其中上空腔隔开该微机电系统装置与该介电屏蔽层,其中该金属屏蔽层位在该介电屏蔽层上。

5.如权利要求4所述的集成电路,更包含在该金属屏蔽层上的密封层。

6.如权利要求1所述的集成电路,其中,该微机电系统装置有脚印,以及其中该声学屏蔽结构由介电材料形成,其经图案化以形成在该脚印外面上覆该介电层的周期结构。

7.如权利要求6所述的集成电路,其中,该第一导电柱及该第二导电柱为在该微机电系统装置的该脚印外面,以及其中,该集成电路更包含由以下所形成的密封环:

穿过该介电层且与该接地平面电气连接的密封环导电柱;以及

上覆该介电层、毗邻该电磁屏蔽结构且与该密封环导电柱电气连接的导电材料。

8.如权利要求7所述的集成电路,其中:

该密封环导电柱包含由穿过该介电层且与该接地平面电气连接的数个第二导电柱组成的阵列;以及

上覆该介电层的该导电材料包含由形成于该周期结构中且与该第二导电柱阵列电气连接的数个导电隔离柱组成的阵列。

9.一种具有屏蔽微机电系统装置的集成电路,其包含:

基板;

接地平面,其在该基板上方包括导电材料;

介电层,其在该接地平面上方;

微机电系统装置,其在该接地平面上方且有脚印;以及

声学屏蔽结构,由介电材料形成,该介电材料经图案化以形成上覆该介电层、在该脚印外面的周期结构。

10.如权利要求9所述的集成电路,更包含电磁屏蔽结构,其包围该微机电系统装置且位在该微机电系统装置与该声学屏蔽结构之间。

11.如权利要求9所述的集成电路,其中,该介电材料经形成有数个通孔,以及其中该集成电路更包含:

导电柱,其位在该脚印外面,穿经该介电层且与该接地平面电气连接;以及

导电材料,其形成于所述通孔中、上覆该介电层、于该脚印外面、且与该导电柱电气连接,以及其中,该导电材料调整该声学屏蔽结构的声学性质。

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