[发明专利]一种LED微粒转印方法

说明书

本发明提供了一种LED微粒转印方法，涉及显示技术领域，在分次转印过程中避免已转印的LED微粒的位置发生偏移，进而提高了LED显示器件的显示效果。该LED微粒转印方法包括：S1：提供基板，设有m组键合体基座，每组包括n个键合体基座；每组键合体基座中的n个与n种颜色的LED微粒对应；S2：将一种颜色的LED微粒转印至对应的键合体基座上，形成一组转印键合体；S3：判断转印键合体的组数是否等于n，若否，进入S4；若是，进入S6；S4：在转印键合体上形成键合体保护层；S5：返回S2；S6：去除前n‑1次所形成的键合体保护层，使所有LED微粒裸露。上述LED微粒转印方法用于将LED微粒进行转印。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种LED微粒转印方法。

背景技术

Micro-LED技术是指在微小尺寸内集成高密度LED(Light Emitting Diode，发光二极管)阵列的技术，Micro LED优点表现的很明显，它继承了无机LED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势。

为了实现大尺寸全彩色的LED显示，需要在一片显示基板上嵌入数百万颗微型彩色LED，现有技术中通常采用LED微粒转印到基板的方式来实现彩色 LED显示器件的制作，具体的，通过转印吸盘的多个转印头分批次对应拾取R、 G、B三色LED微粒，并将分批次对应拾取的R、G、B三色LED微粒分别转印至基板对应区域，例如：首先拾取多个红色LED微粒转印至基板对应区域，然后拾取多个绿色LED微粒转印至基板对应区域，最后拾取多个蓝色LED微粒转印至基板对应区域，重复上述过程，最终完成R、G、B三色LED微粒在显示基板上的嵌入。

但是在转印的过程中，由于已转印至基板对应区域的LED微粒处于磁场环境或者电场环境中，因此，在磁场力或者电场力的作用下，容易导致已转印至基板对应区域的LED微粒的位置发生偏移，进而会使已转印完毕的LED微粒的固定位置出现错位，从而会影响LED微粒的光效和波长的一致性，降低LED显示器件的显示效果。

发明内容

本发明的目的在于提供一种LED微粒转印方法，在分次转印过程中避免已转印的LED微粒的位置发生偏移，进而提高了LED显示器件的显示效果。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

本发明提供了一种LED微粒转印方法，包括：

步骤S1：提供一基板，在所述基板设有m组键合体基座，每组键合体基座包括n个键合体基座，m≥1，n≥2；其中，每组所述键合体基座中的n个键合体基座与n种颜色的LED微粒一一对应；

步骤S2：将一种颜色的LED微粒转印至各组键合体基座中与该颜色LED 微粒对应的键合体基座上，形成一组转印键合体；

步骤S3：判断所形成的转印键合体的组数是否等于n，若否，则进入步骤 S4；若是，则进入步骤S6；

步骤S4：在所形成的转印键合体上形成键合体保护层；

步骤S5：返回步骤S2；

步骤S6：去除前n-1次所形成的键合体保护层，使所有LED微粒裸露。

在LED微粒分次转印的过程中，采用本发明所提供的LED微粒转印方法，在每种颜色的LED微粒转印至键合体基座上形成转印键合体后，在所形成的转印键合体上可形成键合体保护层，所形成的键合体保护层可以对转印键合体的位置进行固定，进而防止已完成转印的LED微粒在磁场力或电场力的作用下位置发生偏移。直至形成n组转印键合体后，对前n-1次所形成的键合体保护层进行去除，使所有的LED微粒裸露，即形成了LED微粒阵列。因此，采用本发明所提供的LED微粒转印方法，能够避免已完成转印的LED微粒的位置发生偏移，从而保证所有LED微粒均处在对应位置上，进而实现显示的精准化，提高LED 显示器件的显示效果。