[发明专利]一种有机发光二极管器件及其制造方法、显示装置在审
| 申请号: | 201710295471.3 | 申请日: | 2017-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN106992268A | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
| 发明(设计)人: | 吴长晏;全威;罗程远;尤娟娟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 有机 发光二极管 器件 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种有机发光二极管器件,包括:衬底基板和依次设置于所述衬底基板上的第一电极、有机层和第二电极;其特征在于,所述第一电极和所述第二电极均为透明电极;所述有机发光二极管器件还包括金属封装层,所述金属封装层位于所述第二电极背向所述第一电极的一侧,且所述金属封装层朝向所述第二电极的表面为粗糙面。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述有机发光二极管器件还包括光匹配层,所述光匹配层位于所述第二电极与所述金属封装层之间。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述光匹配层的折射率与所述第二电极的折射率之差的绝对值小于或等于0.2。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述光匹配层的折射率小于所述第二电极的折射率。
5.根据权利要求3所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述光匹配层的折射率为1.8~2.2。
6.根据权利要求2所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述光匹配层为光学胶层或压敏胶层。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述金属封装层的光反射率大于或等于80%。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述第二电极的光透过率大于或等于70%。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述金属封装层的材料为因瓦合金,或,不锈钢,或,铝,或,钴,或,镍,或,铬,或,铁,或,铂,或,钯,或,锰,或,银,或,铝、钴、镍、铬、铁、铂、钯、锰、银中的至少两种构成的合金。
10.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1~9任一所述的有机发光二极管器件。
11.一种有机发光二极管器件的制造方法,其特征在于,包括:
形成衬底基板;
在所述衬底基板上依次形成第一电极、有机层和第二电极;
在所述第二电极背向所述第一电极的一侧形成金属封装层,所述金属封装层朝向所述第二电极的表面为粗糙面。
12.根据权利要求11所述的有机发光二极管器件的制造方法,其特征在于,在所述第二电极背向所述第一电极的一侧形成金属封装层的步骤包括:
在载体基板上形成金属薄膜;
将所述金属薄膜与所述载体基板分离,并将所述金属薄膜贴合在所述第二电极背向所述第一电极的一侧。
13.根据权利要求12所述的有机发光二极管器件的制造方法,其特征在于,所述在载体基板上形成金属薄膜的步骤之后、所述将所述金属薄膜与所述载体基板分离,并将所述金属薄膜贴合在所述第二电极背向所述第一电极的一侧的步骤之前,所述有机发光二极管器件的制造方法还包括:
对所述金属薄膜背向所述载体基板的表面进行粗糙化处理。
14.根据权利要求11所述的有机发光二极管器件的制造方法,其特征在于,所述在所述衬底基板上依次形成第一电极、有机层和第二电极的步骤之后、所述在所述第二电极背向所述第一电极的一侧形成金属封装层的步骤之前,所述有机发光二极管器件的制造方法还包括:
在所述第二电极背向所述第一电极的表面上形成光匹配层。
15.根据权利要求14所述的有机发光二极管器件的制造方法,其特征在于,所述在所述第二电极背向所述第一电极的表面上形成光匹配层的步骤包括:
形成固态膜;
将所述固态膜贴合在所述第二电极背向所述第一电极的表面上;
或者,
采用涂布或打印的方式,在所述第二电极背向所述第一电极的表面上形成光匹配薄膜;
利用紫外照射或热固化的方式,对所述光匹配薄膜进行固化。
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