[发明专利]光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710295428.7 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108807562B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 魏浩明;魏洋;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/08;H01L31/18;B82Y30/00 |
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| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种光电探测器，包括一基底，一叉指电极层和一光活性层。所述基底，所述叉指电极层和所述光活性层依次层叠接触设置。所述叉指电极层包括第一叉指电极和第二叉指电极，该第一叉指电极和第二叉指电极相互交错设置。
技术领域
本发明涉及一种光电探测器及其制备方法。
背景技术
光电探测器件由于具有制作成本低廉、材料来源广泛以及易于与其它光电器件集成等优点，已经引起了广泛的研究。现有的光电探测器一般具有两个电极层，而该两个电极层需要经过两次沉积制备，制备方法相对复杂且制备得到的光电探测器厚度较厚。
发明内容
有鉴于此，确有必要提供一种厚度较薄，且制备方法相对简单的光电探测器及其制备方法。
一种光电探测器，包括一基底，一叉指电极层和一光活性层；所述基底，所述叉指电极层和所述光活性层依次层叠接触设置，所述叉指电极层包括第一叉指电极和第二叉指电极，该第一叉指电极和第二叉指电极相互交错设置。
一种光电探测器的制备方法，包括：提供一基底，在该基底表面形成叉指电极层；在该叉指电极层上蒸镀形成光活性层。
相较于现有技术，本发明提供的光电探测器采用叉指电极层结构简单，有利于降低光电探测器的厚度。同时，本发明提供的光电探测器可一次形成叉指电极层，相比传统光电探测器的单独形成两个电极层，制备工艺简单，有利于提高效率降低成本。
附图说明
图1为本发明实施例光电探测器的结构示意图。
图2为本发明实施例光电探测器的叉指电极层的结构示意图。
图3为本发明实施例光电探测器制备方法的流程图。
图4为本发明实施例光电探测器制备装置的结构示意图。
图5为本发明实施例从碳纳米管阵列中拉取获得的碳纳米管膜的扫描电镜照片。
图6为本发明一实施例碳纳米管膜结构的扫描电镜照片。
图7及图8为不同分辨率下本发明一实施例的蒸发源的扫描电镜照片。
图9为本发明另一实施例光电探测器制备装置的结构示意图。
图10为本发明一实施例蒸镀后的蒸发源的扫描电镜照片。
图11为本发明一实施例形成的光活性层的扫描电镜照片。
图12为本发明一实施例形成的光活性层的XRD图谱。
图13为本发明实施例光电探测器阵列制备方法的过程示意图。
图14为本发明一实施例光电探测器阵列的子叉指电极层的结构示意图。
主要元件符号说明
光电探测器制备装置 100
光电探测器 200
蒸发源 110
碳纳米管膜结构 112
光活性层源材料 114
支撑体 120
真空室 130
电磁波信号输入装置 140
第一电信号输入电极 150
第二电信号输入电极 152
图案化栅网 160
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
