[发明专利]多层金属焊盘

说明书

本发明公开多层金属焊盘。一种用于制造半导体器件的方法包括在第一区中在第一着陆焊盘之上以及在第二区中在第二着陆焊盘之上形成导电衬垫。方法还包括在形成于导电衬垫之上的抗蚀剂层内的第一开口内沉积第一导电材料。第一导电材料满溢以形成第一焊盘以及第二焊盘的第一层。方法还包括在第一导电材料之上沉积第二抗蚀剂层，并且图案化第二抗蚀剂层以形成暴露第二焊盘的第一层而不暴露第一焊盘的第二开口。在第二焊盘的第二层之上沉积第二导电材料。

技术领域

本发明一般涉及半导体器件，并且在特定实施例中，涉及多层金属焊盘和制作它们的方法。

背景技术

半导体器件使用在各种电子和其他应用中。除了其他许多东西之外，半导体器件还包括集成电路或分立器件，其通过在半导体晶片之上沉积一种或多种类型的材料薄膜并且图案化材料薄膜以形成集成电路而被形成在半导体晶片上。

在半导体衬底内制造各种器件之后，这些器件通过金属互连部而被互连。金属互连部形成在器件区之上并且形成在称为金属化物层级多个层或层级中。金属互连部在传统工艺中由铝制成。

技术缩放已经积极地要求减小较低金属化物层级中的金属互连部的厚度。减小的厚度造成这些金属线的增加的电阻。因此，较低的金属化物层级已经被铜取代，其具有较低的电阻。

另外，功率器件具有附加的要求。通过焊盘汲取的电流在功率器件中明显更高。这样的焊盘必须更厚以改进热耗散和热容量。这增加将厚铜集成到最上部金属化物层级中的复杂度。

发明内容

根据本发明的实施例，一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括在第一区中在第一着陆焊盘（landing pad）之上以及在第二区中在第二着陆焊盘之上形成导电衬垫（liner）。所述方法还包括在形成于导电衬垫之上的抗蚀剂层内的第一开口内沉积第一导电材料。第一导电材料满溢（overfill）以形成第一焊盘以及第二焊盘的第一层。所述方法还包括在第一导电材料之上沉积第二抗蚀剂层，并且图案化第二抗蚀剂层以形成暴露第二焊盘的第一层而不暴露第一焊盘的第二开口。所述方法还包括在第二焊盘的第二层之上沉积第二导电材料。

根据本发明的实施例，一种用于制造半导体器件的方法包括在第一区中在第一着陆焊盘之上以及在第二区中在第二着陆焊盘之上形成导电衬垫，在导电衬垫之上沉积抗蚀剂层，以及图案化抗蚀剂层以在抗蚀剂层中形成第一开口。所述方法还包括在第一开口内沉积第一导电材料，第一导电材料满溢以形成第一焊盘以及第二焊盘的第一层。所述方法还包括在第一导电材料之上沉积蚀刻停止衬垫，在蚀刻停止衬垫之上沉积第二导电材料，以及蚀刻第二导电材料和蚀刻停止衬垫以形成第二焊盘。第二焊盘包括第一导电材料层和第二导电材料层。

根据本发明的实施例，一种半导体器件包括衬底中的第一区和衬底中的第二区，所述第一区包括晶体管，所述第二区包括功率晶体管。功率晶体管是用于向第一区中的晶体管提供功率的电路的部分。第一焊盘设置在第一区之上。第一焊盘耦合到第一区中的晶体管，并且第二焊盘设置在第二区之上。第二焊盘耦合到第二区中的功率晶体管。第一焊盘包括第一金属层的第一部分。第二焊盘包括第一金属层的第二部分和设置在第一金属层的第二部分之上的第二金属层的层。第一金属层包括第一导电材料，并且第二金属层包括第二导电材料。第二金属层的层具有比第一金属层的第二部分更小的覆盖区（foot print）。

附图说明

为了本发明及其优点的更加完整的理解，现在参照结合附图得到的以下描述，在所述附图中：

图1A图示根据本发明的实施例的半导体器件的横截面视图；

图1B图示根据本发明的实施例的半导体器件的顶视图；

图2A图示根据本发明的实施例的半导体器件的部分的顶视图；

图2B图示根据本发明的可替换实施例的半导体器件的部分的横截面视图；