[发明专利]一种下变频混频器

权利要求书

1.一种下变频混频器，包括：输入跨导单元、开关单元、电流注入单元、交叉耦合有源负载单元和尾电流源单元，其中，

尾电流源基于电流镜结构为输入跨导单元提供直流偏置；

输入跨导单元将射频电压信号转换为射频电流信号，利用交叉耦合跨导增强技术提高电路等效跨导值提高增益，同时在跨导单元的两条支路之间增加LC谐振回路降低闪烁噪声；

开关单元对输入跨导单元输出的射频电流信号通过电流换向进行调制；

交叉耦合有源负载单元用PMOS管交叉耦合对作为输出负载；

差分中频输出电压信号从开关单元和交叉耦合有源负载单元之间输出。

2.根据权利要求1所述的混频器，其特征在于，所述输入跨导单元包括：第七晶体管(M7)、第八晶体管(M8)、第九晶体管(M9)和第十晶体管(M10)；

其中，所述第九晶体管(M9)的栅极与第三电阻(R3)的第一端和射频输入端(RF+)连接；所述第十晶体管(M10)的栅极与第四电阻(R4)的第一端和射频输入端(RF-)连接；所述第九晶体管(M9)的源极与第十晶体管(M10)的源极和第十三晶体管(M13)的漏极连接。

3.根据权利要求2所述的混频器，其特征在于，所述开关单元包括：第三晶体管(M3)、第四晶体管(M4)、第五晶体管(M5)和第六晶体管(M6)；

其中，所述第三晶体管(M3)的栅极与第六晶体管(M3)的栅极、第三电容(C3)的第一端、第二电感(L2)的第二端和第一电阻(R1)的第一端连接；所述第四晶体管(M4)的栅极与第五晶体管(M5)的栅极、第四电容(C4)的第一端、第三电感(L3)的第二端和第二电阻(R2)的第一端连接；所述第四晶体管(M4)的栅极与第五晶体管(M5)的栅极、第四电容(C4)的第一端、第三电感(L3)的第二端和第二电阻(R2)的第一端连接；所述第三晶体管(M3)的源极与第四晶体管(M4)的源极、第十一晶体管(M11)的漏极、第七晶体管(M7)的漏极、第八晶体管(M8)的栅极、第九晶体管(M9)的漏极、第一电感(L1)的第一端和第一电容(C1)的第一端连接；所述第五晶体管(M5)的源极与第六晶体管(M6)的源极、第十二晶体管(M12)的漏极、第七晶体管(M7)的栅极、第八晶体管(M8)的漏极、第十晶体管(M10)的漏极、第一电感(L1)的第二端和第二电容(C2)的第一端连接。

4.根据权利要求3所述的混频器，其特征在于，所述电流注入单元包括：第十一晶体管(M11)和第十二晶体管(M12)。

5.根据权利要求4所述的混频器，其特征在于，所述交叉耦合有源负载单元包括：第一晶体管(M1)和第二晶体管(M2)；

其中，所述第一晶体管(M1)的栅极与第二晶体管(M2)的栅极、第四晶体管(M4)的漏极、第六晶体管(M6)的漏极和输出端(IF-)连接；所述第二晶体管(M2)的栅极与第一晶体管(M1)的栅极、第三晶体管(M3)的漏极、第五晶体管(M5)的漏极和输出端(IF+)连接。

6.根据权利要求5所述的混频器，其特征在于，所述尾电流源单元包括：第十三晶体管(M13)、第十四晶体管(M14)、第十五晶体管(M15)和第十六晶体管(M16)；

其中，第十三晶体管(M13)的栅极与第十四晶体管(M14)的栅极、第十四晶体管(M14)的漏极、第十五晶体管(M15)的栅极和第十五晶体管(M15)的漏极连接；第十五晶体管(M15)的源极与第十六晶体管(M16)的栅极和第十六晶体管(M16)的漏极连接。