[发明专利]凹部的填埋方法

权利要求书

1.一种凹部的填埋方法，其重复进行成膜原料气体吸附工序和氮化工序，从而在凹部内形成氮化膜而填埋凹部，

所述成膜原料气体吸附工序：使表面形成有凹部的被处理基板吸附含有想要成膜的氮化膜的构成元素的成膜原料气体；

所述氮化工序：通过活化氮化气体而生成的氮化物种，使所述吸附的成膜原料气体氮化；

所述方法中，将形成所述氮化膜的期间的至少一部分设为自下而上生长期间，在该自下而上生长期间，以气相状态供给能够吸附于被处理基板的表面的高分子材料，使之吸附于所述凹部的上部，从而阻碍所述成膜原料气体的吸附，使氮化膜自所述凹部的底部生长。

2.根据权利要求1所述的凹部的填埋方法，其特征在于，将形成所述氮化膜的最初的期间设为保形氮化膜形成期间，将其后的期间设为所述自下而上生长期间，

在所述保形氮化膜形成期间，在不供给所述高分子材料的条件下重复进行所述成膜原料气体吸附工序和所述氮化工序，从而形成保形氮化膜。

3.根据权利要求1所述的凹部的填埋方法，其特征在于，所述自下而上生长期间依次重复：所述成膜原料气体吸附工序、所述氮化工序、以及使所述高分子材料吸附于所述凹部的上部的高分子材料吸附工序。

4.根据权利要求2所述的凹部的填埋方法，其特征在于，所述自下而上生长期间依次重复：所述成膜原料气体吸附工序、所述氮化工序、以及使所述高分子材料吸附于所述凹部的上部的高分子材料吸附工序。

5.一种凹部的填埋方法，其特征在于，在形成于被处理基板表面的凹部形成氮化膜而填埋凹部，其具有第1阶段和第2阶段，

第1阶段：重复进行成膜原料气体吸附工序和氮化工序从而在凹部内形成保形氮化膜，

所述成膜原料气体吸附工序：吸附含有想要成膜的氮化膜的构成元素的成膜原料气体，

所述氮化工序：通过活化氮化气体而生成的氮化物种，使所述吸附的成膜原料气体氮化；

第2阶段：依次重复进行所述成膜原料气体吸附工序、所述氮化工序和高分子材料吸附工序，从而阻碍所述成膜原料气体的吸附，使氮化膜自所述凹部的底部生长，

所述高分子材料吸附工序：以气相状态供给能够吸附于被处理基板表面的高分子材料，使之吸附于所述凹部的上部。

6.根据权利要求5所述的凹部的填埋方法，其特征在于，在所述第2阶段之后还具有第3阶段，所述第3阶段重复进行所述成膜原料气体吸附工序和所述氮化工序，从而形成保形氮化膜。

7.根据权利要求1～权利要求6的任一项所述的凹部的填埋方法，其特征在于，所述高分子材料吸附于通过所述氮化工序在被处理基板表面形成的NH基。

8.根据权利要求7所述的凹部的填埋方法，其特征在于，所述高分子材料是具有醚键的高分子材料。

9.根据权利要求8所述的凹部的填埋方法，其特征在于，所述具有醚键的高分子材料为选自乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚和三乙二醇二甲醚的至少一种。

10.根据权利要求1～权利要求6的任一项所述的凹部的填埋方法，其特征在于，所述成膜原料气体含有Si，所述氮化膜为氮化硅膜。

11.根据权利要求10所述的凹部的填埋方法，其特征在于，所述成膜原料气体为选自由二氯甲硅烷、一氯甲硅烷、三氯甲硅烷、四氯化硅和六氯乙硅烷组成的组中的至少一种。

12.根据权利要求1～权利要求6的任一项所述的凹部的填埋方法，其特征在于，作为所述氮化气体使用NH₃气。