[发明专利]传感器封装结构的制备方法和传感器封装结构在审
申请号: | 201710293294.5 | 申请日: | 2017-04-28 |
公开(公告)号: | CN107068578A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 李扬渊 | 申请(专利权)人: | 苏州迈瑞微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/488 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆,胡彬 |
地址: | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 封装 结构 制备 方法 | ||
技术领域
本发明实施例涉及传感器封装技术领域,尤其涉及一种传感器封装结构的制备方法和传感器封装结构。
背景技术
传感器封装结构包括芯片、保护层和填充结构。芯片与保护层结合,芯片靠近保护层的一面布置功能电路,芯片远离保护层的一面与基板连接,基板上设置焊盘,焊盘用于提供芯片与外部电路电联接。塑封材料作为填充结构包围在基板的外围,包含焊盘的基板部分暴露在塑封材料形成的填充结构的开口中,方便电联接。
现有传感器封装结构使用的是open molding(开口封装)封装方案,在制作传感器封装结构时,将保护层和芯片结合后,采用塑封材料形成填充结构进行封装。Open molding的封装方案在封装过程存在技术难度,工艺困难。并且在封装过程中封装材料容易产生溢料而覆盖在焊盘表面,形成的传感器封装结构很难恢复,甚至作报废处理。
发明内容
本发明提供一种传感器封装结构的制备方法和传感器封装结构,以降低封装技术难度,解决封装过程中塑封材料溢料造成封装失败的问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种感器封装结构的制备方法,该方法包括:
提供芯片,所述芯片的第一表面形成有功能电路;
在所述芯片与所述第一表面相对的第二表面上形成植球,所述植球与所述功能电路电连接;
将所述芯片的第一表面和保护部的第一表面贴合;
在所述保护部的第一表面上方形成封装层,所述封装层包覆所述芯片;
对远离所述保护部第一表面的封装层和所述植球进行减薄形成焊盘,形成的所述焊盘为暴露出的所述植球的部分区域。
第二方面,本发明实施例还提供了一种传感器封装结构,该传感器封装结构包括:
芯片,所述芯片的第一表面形成有功能电路,与第一表面相对设置的第二表面之上形成与功能电路电连接的植球;
保护部,所述保护部的第一表面与所述芯片的第一表面贴合;
封装层,所述封装层位于保护部的第一表面上方,所述封装层包覆所述芯片和植球;
所述封装层远离所述保护部第一表面的封装层的表面设置有焊盘,所述焊盘为所述封装层减薄后植球形成的截面,所述封装层暴露出所述焊盘。
本发明实施例提供的技术方案。先在芯片的第二表面上形成植球,在保护部的第一表面上方形成封装层,封装层包覆所述芯片,同时也包覆植球,即封装后植球埋没在封装层的塑封材料中。对远离保护部第一表面的封装层和植球进行减薄形成焊盘,形成的所述焊盘为暴露出的所述植球的部分区域,相当于减薄一部分封装层和植球,并露出植球的截面形成焊盘。在塑封过程中,形成的封装层包覆芯片,降低了难度。而且在后续工艺中通过减薄封装层和植球来形成焊盘,塑封材料溢料不会对形成的焊盘造成影响,解决了塑封材料溢料导致产品报废的问题,提高封装的良率。
附图说明
图1A是本发明实施例提供的一种传感器封装结构的制备方法的流程示意图;
图1B-图1F是本发明实施例提供的传感器封装结构的制备方法各步骤对应的传感器封装方法的剖面示意图;
图2A是本发明实施例提供的一种传感器封装结构的制备方法的流程示意图;
图2B-图2E是本发明实施例提供的传感器封装结构的制备方法各步骤对应的传感器封装方法的剖面示意图;
图3A是本发明实施例提供的一种传感器封装结构的制备方法的流程示意图;
图3B-图3E是本发明实施例提供的传感器封装结构的制备方法各步骤对应的传感器封装方法的剖面示意图;
图3F是本发明实施例提供的一种传感器封装结构的俯视示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1A是本发明实施例提供的一种传感器封装结构的制备方法的流程示意图,图1B-1F是本发明实施例提供的传感器封装结构的制备方法各步骤对应结构的剖面示意图。本实施例可适用于形成传感器封装结构的情况,参见图1A-1F,本发明实施例提供的传感器封装结构的制备方法包括:
步骤110、提供芯片,芯片的第一表面形成有功能电路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造