[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201710292879.5 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108807533B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 王琮玄;陈侃升;吴信霖;周永隆;魏云洲;李家豪;廖志成 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 汤在彦;孙乳笋 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，所述的方法包括：
提供一半导体基板；
形成一栅极结构于所述半导体基板之上，其中所述的栅极结构包括:
一栅极介电层；
一栅极电极，形成于所述栅极介电层之上；
形成一晕状植入区于所述栅极结构周围及所述栅极结构下的半导体基板中，其中形成所述晕状植入区的步骤包括：
斜角注入一P型杂质以形成所述晕状植入区于所述栅极结构周围及所述栅极结构下的半导体基板中；
形成一轻掺杂源极/漏极区于所述栅极结构两侧的半导体基板中，其中所述晕状植入区邻近于所述轻掺杂源极/漏极区；
形成一反向掺杂区于所述栅极结构下的半导体基板中且位于所述轻掺杂源极/漏极区及所述晕状植入区之间；
其中形成所述反向掺杂区的步骤包括：
注入一第一杂质于所述栅极电极及所述半导体基板中，所述的第一杂质包括氮离子；以及
进行一热处理以将所述第一杂质扩散驱入所述晕状植入区邻近于所述轻掺杂源极/漏极区的一部分中而形成所述反向掺杂区；
形成一侧壁间隔物于所述栅极结构的侧壁上；
形成一源极/漏极区于所述侧壁间隔物两侧的半导体基板中； 以及
其中所述反向掺杂区的掺杂浓度低于所述晕状植入区的掺杂浓度，所述的晕状植入区及所述反向掺杂区的掺杂浓度比为20:3至20:16，且其中所述反向掺杂区分隔所述晕状植入区与所述栅极结构；
所述的反向掺杂区的掺杂浓度朝着所述栅极结构的中心线逐渐增加。
2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述的半导体装置系为NMOS装置，且所述源极/漏极区系为N型掺杂区，所述晕状植入区及所述反向掺杂区系为P型掺杂区。
3.如权利要求2所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述的方法更包括：
注入一井区P型杂质以形成一P型井区于所述半导体基板中；
其中所述NMOS装置系形成于所述P型井区中。
4.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，形成所述侧壁间隔物的步骤包括：
在625-750℃下沉积所述侧壁间隔物于所述栅极结构的侧壁上；其中所述热处理是通过沉积所述侧壁间隔物时的温度进行。
5.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，注入所述第一杂质于所述栅极电极及所述半导体基板中的步骤的注入能量为6keV~40keV且注入剂量为1E14-1E16atoms/cm2。
6.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述的栅极介电层的一下部具有正电荷。
7.如权利要求6所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述的栅极介电层的下部的正电荷是通过所述热处理形成。
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