[发明专利]发光材料、发光材料的制备方法与显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光材料、发光材料的制备方法与显示装置，且特别涉及一种具有量子点的发光材料、发光材料的制备方法与显示装置。

背景技术

量子点是一种具有良好吸光及发光特性的材料，其发光半高宽(full width at half maximum,FWHM)窄、发光效率高且具有相当宽的吸收频谱，因此拥有很高的色彩纯度与饱和度，近年来已逐渐被应用在显示面板的技术中。目前在应用量子点时，都是直接将量子点散布于溶剂中再涂布于要应用的位置。然而，量子点的发光特性与其尺寸有相当大的关连性。量子点在溶剂中不仅难以平均分布，更有可能集结成为微米尺寸的量子点团。如此一来，发光均匀性不易提升，且微米尺寸的量子点团还会失去发光特性。另一方面，以液态形式保存的量子点在应用时的难度也较高，不易应用在各类不同的加工设计中。另外，量子点周围以及其配体等聚合物具有不耐高温的缺点，也限制了量子点的应用方式。因此，如何获得使用寿命长的量子点材料成为量子点应用推广必须和急需解决的问题。

发明内容

本发明提供一种发光材料、发光材料的制备方法与显示装置，可解决量子点的发光效率不佳的问题。

本发明的一种发光材料的平均粒径为0.1微米至30微米，且所述发光材料的颗粒内的最外层的量子点与所述发光材料的所述颗粒的表面的最小距离为0.1纳米至20纳米。

本发明的另一种发光材料的平均粒径为0.1微米至30微米，且所述发光材料的颗粒内的最外层的量子点与所述发光材料的所述颗粒的表面的平均距离为0.5纳米至25纳米。

在本发明的一实施例中，所述量子点为选自由硅基纳米晶体、钙钛矿纳米晶体、II-VI族化合物半导体纳米晶体、III-V族化合物半导体纳米晶体与IV-VI族化合物半导体纳米晶体所组成的族群中的至少一种。

在本发明的一实施例中，所述量子点的平均粒径为1纳米至25纳米。

在本发明的一实施例中，所述量子点包括红光量子点、绿光量子点与蓝光量子点，所述红光量子点的平均粒径为3纳米至25纳米，所述绿光量子点的平均粒径为2纳米至20纳米，所述蓝光量子点的平均粒径为1纳米至15纳米。

在本发明的一实施例中，受波长为390纳米至500纳米的光照射时，所述红光量子点发出峰值波长为610纳米至660纳米且波峰的半高宽为15纳米至60纳米的光，所述绿光量子点发出峰值波长为520纳米至550纳米且波峰的半高宽为15纳米至60纳米的光，所述蓝光量子点发出峰值波长为440纳米至460纳米且波峰的半高宽为15纳米至60纳米的光。

在本发明的一实施例中，受波长为390纳米至500纳米的光照射时，所述量子点发出峰值波长为400纳米至700纳米且波峰的半高宽为15纳米至60纳米的光。

在本发明的一实施例中，所述量子点的重量百分比为0.1％至30％。

在本发明的一实施例中，所述颗粒包括核心、封装层以及所述量子点。所述封装层包覆所述核心。所述量子点配置于所述核心与所述封装层之间。

在本发明的一实施例中，所述核心的材料具有多孔性。

在本发明的一实施例中，所述核心的表面平均孔径为3纳米至100纳米。

在本发明的一实施例中，所述量子点为红光量子点时，所述核心的表面平均孔径为7纳米至30纳米，所述量子点为绿光量子点时，所述核心的表面平均孔径为5纳米至20纳米，且所述量子点为蓝光量子点时，所述核心的表面平均孔径为3纳米至15纳米。

在本发明的一实施例中，所述核心的比表面积为100平方米/克至1000平方米/克。

在本发明的一实施例中，所述核心的材料为选自由聚硅氧烷、玻璃、水玻璃与二氧化硅所组成的族群中的至少一种。

在本发明的一实施例中，所述封装层的材料为选自由聚硅氧烷、玻璃、水玻璃与二氧化硅所组成的族群中的至少一种。

在本发明的一实施例中，所述封装层的厚度为0.1纳米至20纳米。

在本发明的一实施例中，所述核心的平均粒径为0.1微米至25微米。

在本发明的一实施例中，所述核心具有亲油性。

本发明的发光材料的制备方法包括下列步骤。制备附着有量子点的核心。将附着有所述量子点的所述核心与封装材料混合以制备所述发光材料。所述发光材料的颗粒包括所述核心、所述量子点与封装层，所述封装层由所述封装材料构成且包覆所述核心，所述量子点配置于所述核心与所述封装层之间。