[发明专利]基板温度控制装置、基板处理装置以及控制方法

说明书

技术领域

本公开涉及一种用于控制基板的温度的装置、一种包括所述基板温度控制装置的基板处理装置以及一种控制所述装置的方法。

背景技术

为了在制造半导体时控制基板的温度，需要一种用于控制基板的温度的装置。现有基板温度控制装置已经通过相应的多个控制器控制各个加热单元。加热单元根据基板的各个区域控制基板的温度。

然而，在出现包括多个区带的基板需要多于数百个加热单元的情况下，并且当获得对应于加热单元的控制器时，需要至少为现有装置的三十倍大的装置。这有悖于减少装置的体积的当前趋势。

因此，需要一种用于控制具有多个区带的基板的温度并且不增加装置的体积的技术。

发明内容

实施方式包括一种基板温度控制装置、一种包括基板温度控制装置的基板处理装置以及一种控制所述装置的方法，其可以按每个区域控制所述基板的温度，并且不增加所述装置的体积。

本发明构思的目的不限于以上描述。本领域技术人员从以下描述将可理解本发明的其它目的。

本发明构思的示例实施方式可以提供一种基板温度控制装置，包括：支撑板，用于支撑基板；多个加热单元，放置在所述基板的不同区域中，并且按每个区域控制所述基板的温度；电源单元，用于提供功率以控制所述基板的温度；开关单元，连接在所述多个加热单元与所述电源单元之间，并且包括一个或多个晶体管器件；以及控制器，用于通过控制所述开关单元来控制提供给每个加热单元的功率。

在示例实施方式中，所述晶体管器件可以包括MOSFET器件。

在示例实施方式中，所述开关单元可以包括分别对应于所述多个加热单元的多个MOSFET通道。

在示例实施方式中，所述控制器可以选择性地打开所述多个MOSFET通道。

在示例实施方式中，所述基板温度控制装置可以还包括传感器单元，用于检测所述基板的温度分布信息。

在示例实施方式中，所述控制器可以根据所述温度分布信息而确定打开哪个MOSFET通道。

在示例实施方式中，所述基板温度控制装置可以还包括：第一滤波器，连接在所述电源单元与所述开关单元之间，并且阻挡流入所述电源单元中的高频功率信号；以及第二滤波器，设置于所述开关单元与所述控制器之间，并且阻挡流入所述控制器的高频功率信号。

在示例实施方式中，所述第二滤波器可以包括铁氧体磁芯。

在示例实施方式中，所述电源单元可以提供交流功率。

在示例实施方式中，所述电源单元可以提供低于预定频率的交流功率。所述第一滤波器和所述第二滤波器可以阻挡高于预定频率的高频功率信号，并且可以使得低于预定频率的交流功率信号通过。

本发明构思的示例实施方式可以提供一种基板处理装置，包括：腔室，用于在其中提供基板处理空间；基板支撑组件，用于支撑所述基板并且放置于所述腔室内；气体供应单元，用于在所述腔室内供应气体；等离子体生成单元，用于使得所述气体成为等离子体状态，并且包括用于提供高频功率的高频电源；以及基板温度控制单元，用于控制所述基板的温度，其中，所述基板温度控制单元可以包括：多个加热单元，放置在所述基板的不同区域中，并且按每个区域控制所述基板的温度；电源单元，用于提供功率以控制所述基板的温度；开关单元，连接在所述多个加热单元与所述电源单元之间，并且包括一个或多个晶体管器件；以及控制器，用于通过控制所述开关单元来控制提供给每个加热单元的功率。

在示例实施方式中，所述晶体管器件可以包括MOSFET器件。

在示例实施方式中，所述开关单元可以包括分别对应于所述多个加热单元的多个MOSFET通道。所述控制器可以选择性地打开所述多个MOSFET通道。

在示例实施方式中，所述基板温度控制单元可以还包括传感器单元，用于检测所述基板的温度分布信息。所述控制器可以根据所述温度分布信息而确定打开哪个通道。

在示例实施方式中，所述基板温度控制单元可以还包括：第一滤波器，连接在所述电源单元与所述开关单元之间，并且阻挡流入所述电源单元中的高频功率信号；以及第二滤波器，设置于所述开关单元与所述控制器之间，并且阻挡流入所述控制器中的高频功率信号。

在示例实施方式中，所述第二滤波器可以包括铁氧体磁芯。

在示例实施方式中，所述电源单元可以提供交流功率。

在示例实施方式中，所述电源单元可以提供低于预定频率的交流功率。所述第一滤波器和所述第二滤波器可以阻挡高于预定频率的高频功率信号，并且可以使得低于预定频率的交流功率信号通过。