[发明专利]用于半导体装置的结合SADP鳍片及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体胞元，其包含：

衬底；以及

含至少五个实质平行鳍片的阵列，该鳍片以实质均等鳍宽布置于该衬底上，该阵列内至少一对相邻鳍片间包括预定最小间隔距离，其中，该最小间隔距离为该相邻鳍片的两相对侧之间的距离，该阵列包括：

用于n型半导体装置的第一n型鳍片，以及

用于p型半导体装置的第一p型鳍片，该第一p型鳍片与该第一n型鳍片相邻而置并且以预定第一n至p距离与该第一n型鳍片相隔，

其中，该第一n至p距离为该第一n型鳍片与该第一p型鳍片的两相对侧之间的距离，该第一n至p距离大于该最小间隔距离且小于该鳍宽加两倍该最小间隔距离的总和。

2.如权利要求1所述的半导体胞元，其中，该第一p型鳍片包括穿过该第一p型鳍片的横切口。

3.如权利要求1所述的半导体胞元，其中，该阵列包含：

包括该第一n型鳍片的第一对n型鳍片；以及

包括该第一p型鳍片的第一对p型鳍片；

其中介于该第一对n型鳍片的诸鳍片间的距离实质为该最小间隔距离，以及

其中介于该第一对n型鳍片与该第一对p型鳍片间的距离为该第一n至p距离。

4.如权利要求3所述的半导体胞元，其中，该阵列具有以该实质均等鳍宽布置于该衬底上的至少六个实质平行鳍片，该阵列包含：

与该第一对p型鳍片相邻而置并以预定第二n至p距离与该第一对p型鳍片相隔的第二对n型鳍片；

其中介于该第二对n型鳍片的诸鳍片间的距离实质是该最小间隔距离，以及

其中该第二n至p距离小于该鳍宽加两倍该最小间隔距离的总和。

5.如权利要求1所述的半导体胞元，其中，该半导体胞元为静态随机访问内存(SRAM)胞元。

6.如权利要求1所述的半导体胞元，其中，该最小间隔距离等于或小于24nm。

7.如权利要求1所述的半导体胞元，其中，该鳍宽等于或小于8nm，该鳍宽具有不大于正或负4nm的容限。

8.如权利要求1所述的半导体胞元，其中，该第一n至p距离小于56nm。

9.一种制造半导体装置的方法，其包含：

提供结构，该结构包括布置于衬底上方的硬罩层、及布置于该硬罩层上方的第一心轴层；

将第一心轴阵列图案化到该第一心轴层内；

在该第一心轴的侧壁上形成第一间隔物阵列；

布置位在该第一间隔物阵列上方的图案层、位在该图案层上方的蚀刻终止层、及位在该蚀刻终止层上方的第二心轴层；

将第二心轴阵列图案化到该第二心轴层内；

在该第二心轴的侧壁上形成第二间隔物阵列；

将该第二间隔物阵列蚀刻到该图案层内，使得该第二间隔物与该第一间隔物组合，该第一与第二间隔物就置于该硬罩层上的鳍片阵列形成图案；以及

将该图案蚀刻到该衬底内以形成该鳍片阵列。

10.如权利要求9所述的方法，其中，该第一心轴的第一心轴宽度与第一心轴间隔、该第二心轴的第二心轴宽度与第二心轴间隔、及介于该第一与第二心轴间的相对位置是含五个可变参数的集合，该方法包含：

利用该含五个可变参数的集合在该鳍片阵列的诸鳍片间提供可变鳍片间隔。

11.如权利要求9所述的方法，其包含：

于该第一间隔物阵列上方布置该图案层的步骤前，先在该第一间隔物阵列上方布置第一平坦化层；

图案化该第一平坦化层以曝露该第一间隔物阵列的第一间隔物的所选择区段；以及

将第一切口蚀刻到该第一间隔物已曝露的所选择区段内。

12.如权利要求11所述的方法，其包含于布置第一平坦化层的步骤前，先移除该第一心轴。