[发明专利]一种基于背面碱抛工艺的PERC电池制备方法

权利要求书

1.一种基于背面碱抛工艺的PERC电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)制绒；

2)扩散；

3)背面酸洗；

4)背面抛光；

5)去磷硅玻璃；

6)背面ALD沉积氧化铝；

7)正面PECVD沉积SiNx；

8)背面PECVD沉积叠层钝化膜；

9)背面局部激光开口；

10)丝网印刷和烧结，

其中，步骤3)中硅片常温经过背面酸洗机，酸槽中HF浓度3％～20％，步骤4)中背面抛光为槽式机内使用TMAH、抛光液以及水混合所配溶液对硅片背表面进行抛光，抛光后在HF溶液中去除PSG，TMAH浓度2％～5％，温度40～80℃。