[发明专利]一种三维细胞聚集培养方法在审
| 申请号： | 201710290920.5 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108795870A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 秦建华;魏文博;王亚清;刘海涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | C12N5/10 | 分类号： | C12N5/10;C12N5/09 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 郑虹 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 凹陷结构 三维 细胞聚集 细胞球 细胞 倾斜侧壁 芯片 细胞团 自组装 物理机械 细胞类型 营养物质 培养基 机械力 聚集体 接种 取出 交换 | ||
1.一种三维细胞聚集培养方法，其特征在于：采用具有倾斜侧壁的凹陷结构的PDMS芯片内，按照以下步骤进行：
(1)将不同种类的细胞按照105-106个/毫升的细胞浓度接种在带有凹陷结构的芯片上，
(2)加入培养基继续培养12-24小时后，细胞会聚集在凹陷结构底部形成细胞团，
(3)通过芯片形成的细胞团可以继续在芯片上培养，或取出后再另行培养。
2.按照权利要求1所述的一种三维细胞聚集培养方法，其特征在于所述的凹陷结构的PDMS芯片为“金字塔”样三维细胞聚集培养芯片。
3.按照权利要求2所述的一种三维细胞聚集培养方法，其特征在于所述“金字塔”样三维细胞聚集培养芯片为凹陷阵列结构的芯片，所述的凹陷为反金字塔结构，该芯片利用倾斜曝光的软光刻技术制备出具有“金字塔”样结构的模板，再利用该模板制备出聚二甲基硅氧烷(PDMS)芯片，在利用软光刻进行紫外曝光的时候，将曝光平台改为可以调节倾斜角度以及可以自由旋转的平台。
4.按照权利要求1所述的一种三维细胞聚集培养方法，其特征在于步骤(1)中所述的细胞为干细胞、肿瘤细胞、组织细胞及其他细胞。
5.按照权利要求1所述的一种三维细胞聚集培养方法的应用，其特征在于通过该方法形成的三维细胞球具有较好的均一性以及高通量，细胞球的尺寸约为200-400微米，在三维细胞球形成之后可应用于干细胞诱导分化、药物筛选、生理以及病理模型的建立及其他的生物学领域研究。
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