[发明专利]放大器

说明书

本发明实施例提供了一种放大器。其包括：放大级，用于接收输入信号，以产生放大的该输入信号；第一叠接电路；输入前馈电路，耦接至该第一叠接电路，用于将该输入信号前馈至该第一叠接电路；以及输出级，用于根据放大的该输入信号与该第一叠接电路的输出，产生输出信号。本发明实施例，可以改善放大器的稳定性。

技术领域

本发明涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种放大器。

背景技术

AB类(class AB)放大器一般在要求高功率和高效率的系统中使用。但是，当AB类放大器应用于宽带(如带宽大于300MHz)应用中时，放大器由于来自衬垫(pad)的寄生极点(parasitic pole)而可能变得不稳定。因此，AB类放大器的设计变得困难以及耗电。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种放大器，可以改善稳定性。

本发明实施例提供了一种放大器，包括：放大级，用于接收输入信号，以产生放大的该输入信号；第一叠接电路；输入前馈电路，耦接至该第一叠接电路，用于将该输入信号前馈至该第一叠接电路；以及输出级，用于根据放大的该输入信号与该第一叠接电路的输出，产生输出信号。

其中，该输入信号为差分输入对并且包括：第一输入信号和第二输入信号，该输出信号为差分输出对。

其中，该第一叠接电路包括：彼此叠接的第一晶体管与第二晶体管，以及彼此叠接的第三晶体管与第四晶体管，该第一晶体管和第三晶体管充当电流源，该输入前馈电路将该第一输入信号和第二输入信号分别馈至该第二晶体管与第四晶体管。

其中，该输入前馈电路包括：高通滤波器，该第一输入信号和第二输入信号经由该高通滤波器分别馈入该第二晶体管和第四晶体管。

其中，该输入前馈电路包括：第一电容，耦接在该第一输入信号和该第二晶体管的栅极之间；第二电容，耦接在该第二输入信号与该第四晶体管的栅极之间；第一电阻，耦接在偏压和该第二晶体管的栅极之间；第二电阻，耦接在该偏压和该第四晶体管的栅极之间。

其中，该第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管与第四晶体管均为PMOS或NMOS。

其中，该第二晶体管的源极电性连接至该第四晶体管的源极。

其中，进一步包括：第二叠接电路，耦接至该放大级，用于接收放大的该差分输入对；其中，该输出级用于根据该第一叠接电路的输出与该第二叠接电路的输出，产生该差分输出对。

其中，该第二叠接电路包括：彼此叠接的第五晶体管和第六晶体管，以及彼此叠接的第七晶体管和第八晶体管，该第五晶体管和第七晶体管充当电流源，该第六晶体管和第八晶体管的源极分别接收放大的该第一输入信号和放大的该第二输入信号。

其中，当该第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管与第四晶体管均为PMOS/NMOS时，该第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管相应地为NMOS/PMOS。

其中，该放大器为AB类放大器。

其中，还包括：AB类控制电路，耦接在该第一叠接电路和该第二叠接电路之间。

本发明实施例的有益效果是：

本发明实施例，使用前馈电路来将输入信号馈入叠接电路中，以降低放大器的总转移函数的极点，从而改善放大器的稳定性。

附图说明

图1为根据本发明一实施例的放大器的示意图；

图2为根据本发明一实施例的图1所示的放大器的详细电路结构图；

图3为根据本发明另一实施例的放大器的示意图；

图4为根据本发明一实施例的图3所示的放大器的详细电路结构图。